Cтраница 3
В первой из них приводятся результаты по широкому классу миниатюрных ЛП. В обзор алгоритмов, формул и результатов включены наиболее удобные формы, представляющие двоякий интерес: для выяснения физической картины явлений и для систем автоматизированного проектирования ОИС. Представлены картины полей основных волн полосковых ЛП; приведены данные по высшим типам волн, а также по основным параметрам ЛП: эффективная диэлектрическая проницаемость, характеристическое сопротивление ( на основном типе), потери и пр. Особое внимание уделено несимметричной щелевой линии ( НЩЛ), которая составляет конструктивную основу многих БЭ ОИС. В книге представлено достаточно полное электродинамическое исследование НЩЛ п некоторых ее модификаций. [31]
![]() |
Оптический аналог матричной схемы. [32] |
Основа рассмотренных примеров - волноводная схема, имеющая число входов, которое мы хотим получить от антенны, равное числу лучей, и число выходов, равное числу излучателей. По аналогии с матрицами в алгебре такую схему называют матричной. Мы употребляем термин волноводная схема в обобщенном смысле. В настоящее время разработаны разнообразные диаграммообразующие схемы на основе микрополосковых, копланарных или щелевых линий передачи. [33]
Приложение к этой пленке электрического управляющего поля позволяет изменять эти параметры, а следовательно, регулировать злектричеоиим путем характеристики комбинированной структуры, содержащей эту пленку. В этой структуре пленка наносится на подложку 2 с небольшой диэлектрической проницаемостью и хорошей теплопроводностью, например из материала MgO. Электроды 4, нанесенные на пленку, служат для приложения управляющего напряжения к пленочному элементу из нелинейного диэлектрика. Нанесение электродов на поверхность многослойной диэлектрической структуры уменьшает ее собственную добротность, искажает распределение поля, изменяет спектр собственных колебаний - и создает условия для возникновения новых колебаний структуры. Последнее обусловлено тем, что два планарных электрода с зазором между ними, расположенные на пленке, образуют щелевую линию. Если длина зазора кратна половине длины волны в щелевой линии, то образуется щелевой резонатор. Рассматриваемая структура представляет собой связанную систему: диэлектрический резонатор - щелевой резонатор. При изменении управляющего напряжения происходит перестройка двух связанных колебаний системы. [34]
Приложение к этой пленке электрического управляющего поля позволяет изменять эти параметры, а следовательно, регулировать злектричеоиим путем характеристики комбинированной структуры, содержащей эту пленку. В этой структуре пленка наносится на подложку 2 с небольшой диэлектрической проницаемостью и хорошей теплопроводностью, например из материала MgO. Электроды 4, нанесенные на пленку, служат для приложения управляющего напряжения к пленочному элементу из нелинейного диэлектрика. Нанесение электродов на поверхность многослойной диэлектрической структуры уменьшает ее собственную добротность, искажает распределение поля, изменяет спектр собственных колебаний - и создает условия для возникновения новых колебаний структуры. Последнее обусловлено тем, что два планарных электрода с зазором между ними, расположенные на пленке, образуют щелевую линию. Если длина зазора кратна половине длины волны в щелевой линии, то образуется щелевой резонатор. Рассматриваемая структура представляет собой связанную систему: диэлектрический резонатор - щелевой резонатор. При изменении управляющего напряжения происходит перестройка двух связанных колебаний системы. [35]
На рис. 7.30 в поперечном сечении показаны некоторые продольно-однородные структуры, называемые планарными. Полосковая ( мик-рополосковая) линия ( а) представляет собой металлическую полоску, нанесенную на диэлектрический слон, подложку; последняя, в свою очередь, располагается на плоском металлическом экране. Экран при этом подобен прямоугольному волноводу; его контур показан штриховой линией. Полосковых проводников может быть несколько ( б); в этом случае говорят о связанных полосковых линиях. Подложка иногда не лежит на экране ( в) н называется подвешенной. Следующая структура ( г) - - это щелевая линия, называемая при наличии экрана волноводно-щелевой. [36]