Силовая линия - электростатическое поле - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Глупые женятся, а умные выходят замуж. Законы Мерфи (еще...)

Силовая линия - электростатическое поле

Cтраница 2


Отличие состоит лишь в том, что силовым линиям электростатического поля отвечают эквипотенциальные линии магнитного поля, а эквипотенциалям электростатического поля соответствуют силовые линии магнитного.  [16]

Чем отличается картина силовых линий магнитного поля от картины силовых линий электростатического поля.  [17]

18 Простая электролитическая ванна. [18]

В § 68 мы говорили, что в однородной среде силовые линии электростатического поля совпадают с линиями тока. На этом основан ценный практический метод экспериментального исследования электрических полей.  [19]

20 Простая электролитическая ванна. [20]

В § 70 мы говорили, что в однородной среде силовые линии электростатического поля совпадают с линиями тока. На этом основан ценный практический метод экспериментального исследования электрических полей.  [21]

Помимо этого наличие интерполирующей функции позволяет вычислить напряженность и построить карту силовых линий электростатического поля. Для этого необходимо дополнить документ следующими строками.  [22]

Наиболее важным свойством диполя считают склонность его к вращению и ориентации по направлению силовых линий электростатического поля аналогично ориентации магнита в магнитном поле. Были обнаружены не только различные типы связи, но и найдены методы, позволяющие отличать электровалентные молекулы от ковалентных, а также разработаны методы, позволяющие определять присутствие в молекуле семиполярных двойных связей и измерять величину дипольных моментов соединений.  [23]

Метод электролитической ванны [ 5 - 9 основан на подобии, которое существует между силовыми линиями электростатического поля бег объемного заряда, создаваемого системой электродов в вакууме, и линиями тока в электролите, в который погружены те же электроды, с теми же потенциалами.  [24]

25 Пример, показывающий применение графического метода нахождения полюсов замкнутого контура по положению нулей и полюсов разомкнутого контура. [25]

Характер годографа можно себе представить, если иметь в виду, что он похож на диаграмму силовых линий электростатического поля, в котором полюсы являются положительными зарядами, а нули - отрицательными. Линии корневого годографа соответствуют частным силовым линиям, и эквипотенциальные линии соответствуют частным значениям усиления разомкнутой системы. Большую помощь в построении годографа оказывают ниже описываемые правила, рассматривающие граничные условия корневого годографа.  [26]

При окраске в электростатическом поле лакокрасочный материал под действием тока отрицательного потенциала, поданного на электрораспыляющее устройство, приобретает отрицательный заряд и движется по силовым линиям электростатического поля к окрашиваемому предмету, находящемуся под положительным потенциалом, обеспечивая получение равномерного покрытия.  [27]

Из аналогии указанных уравнений следует, что структура электрических силовых линий поля основной волны в плоскости поперечного сечения направляющей системы будет точно такой же, как и структура силовых линий двухмерного электростатического поля ( или электрического поля постоянного тока), если граничные условия, налагаемые на решение первого уравнения (12.1), будут совпадать с граничными условиями соответствующей электростатической задачи.  [28]

Сила, действующая на точечный заряд q, помещенный в электростатическое поле с напряженностью Е, совпадает по величине и направлению с вектором qE, т.е. направлена по касательной к силовой линии электростатического поля. Силы же электромагнитного взаимодействия, как видно из закона Ампера (14.5), не являются центральными. Они всегда направлены перпендикулярно линиям магнитной индукции и проводникам с токами, т.е. их абсолютные значения и направления существенным образом зависят от ориентации в магнитном поле рассматриваемых элементов проводников с токами.  [29]

Когда одна пластина конденсатора заряжена до потенциала V19 а другая - Ж потенциала V2, то внутри, между пластинами конденсатора, поверхности уровня расположены параллельно пластинам. Силовые линии электростатического поля между обкладками конденсатора идут перпендикулярно к поверхностям уровня.  [30]



Страницы:      1    2    3    4