Cтраница 2
Отличие состоит лишь в том, что силовым линиям электростатического поля отвечают эквипотенциальные линии магнитного поля, а эквипотенциалям электростатического поля соответствуют силовые линии магнитного. [16]
Чем отличается картина силовых линий магнитного поля от картины силовых линий электростатического поля. [17]
![]() |
Простая электролитическая ванна. [18] |
В § 68 мы говорили, что в однородной среде силовые линии электростатического поля совпадают с линиями тока. На этом основан ценный практический метод экспериментального исследования электрических полей. [19]
![]() |
Простая электролитическая ванна. [20] |
В § 70 мы говорили, что в однородной среде силовые линии электростатического поля совпадают с линиями тока. На этом основан ценный практический метод экспериментального исследования электрических полей. [21]
Помимо этого наличие интерполирующей функции позволяет вычислить напряженность и построить карту силовых линий электростатического поля. Для этого необходимо дополнить документ следующими строками. [22]
Наиболее важным свойством диполя считают склонность его к вращению и ориентации по направлению силовых линий электростатического поля аналогично ориентации магнита в магнитном поле. Были обнаружены не только различные типы связи, но и найдены методы, позволяющие отличать электровалентные молекулы от ковалентных, а также разработаны методы, позволяющие определять присутствие в молекуле семиполярных двойных связей и измерять величину дипольных моментов соединений. [23]
Метод электролитической ванны [ 5 - 9 основан на подобии, которое существует между силовыми линиями электростатического поля бег объемного заряда, создаваемого системой электродов в вакууме, и линиями тока в электролите, в который погружены те же электроды, с теми же потенциалами. [24]
![]() |
Пример, показывающий применение графического метода нахождения полюсов замкнутого контура по положению нулей и полюсов разомкнутого контура. [25] |
Характер годографа можно себе представить, если иметь в виду, что он похож на диаграмму силовых линий электростатического поля, в котором полюсы являются положительными зарядами, а нули - отрицательными. Линии корневого годографа соответствуют частным силовым линиям, и эквипотенциальные линии соответствуют частным значениям усиления разомкнутой системы. Большую помощь в построении годографа оказывают ниже описываемые правила, рассматривающие граничные условия корневого годографа. [26]
При окраске в электростатическом поле лакокрасочный материал под действием тока отрицательного потенциала, поданного на электрораспыляющее устройство, приобретает отрицательный заряд и движется по силовым линиям электростатического поля к окрашиваемому предмету, находящемуся под положительным потенциалом, обеспечивая получение равномерного покрытия. [27]
Из аналогии указанных уравнений следует, что структура электрических силовых линий поля основной волны в плоскости поперечного сечения направляющей системы будет точно такой же, как и структура силовых линий двухмерного электростатического поля ( или электрического поля постоянного тока), если граничные условия, налагаемые на решение первого уравнения (12.1), будут совпадать с граничными условиями соответствующей электростатической задачи. [28]
Сила, действующая на точечный заряд q, помещенный в электростатическое поле с напряженностью Е, совпадает по величине и направлению с вектором qE, т.е. направлена по касательной к силовой линии электростатического поля. Силы же электромагнитного взаимодействия, как видно из закона Ампера (14.5), не являются центральными. Они всегда направлены перпендикулярно линиям магнитной индукции и проводникам с токами, т.е. их абсолютные значения и направления существенным образом зависят от ориентации в магнитном поле рассматриваемых элементов проводников с токами. [29]
Когда одна пластина конденсатора заряжена до потенциала V19 а другая - Ж потенциала V2, то внутри, между пластинами конденсатора, поверхности уровня расположены параллельно пластинам. Силовые линии электростатического поля между обкладками конденсатора идут перпендикулярно к поверхностям уровня. [30]