Cтраница 2
Перспективы применения ионной литографии связывают также с возможностью безрезистивного метода получения рисунка микросхем и созданием так называемой монолитно-интегральной технологии БИС. Возможность практического применения безре-зистивной ионной литографии основана на том, что твердые тела, подвергнутые ионному облучению, резко изменяют свою химическую активность. Идеальной схемой безрезистивной ионной литографии является экспонирование металлической пленки ионным лучом, последующее ионное травление, перемещение подложки в позицию для напыления очередного металлического слоя и повторная ионно-луче-вая литография. Из-за несовершенства технологического оборудования этот процесс еще не реализован. [16]
Ранее было отмечено, что с уменьшением длины волны экспонирующего облучения повышается разрешающая способность процесса литографии, в результате чего появляется возможность создания ИС с субмикронными размерами элементов и существенно повышается плотность интеграции БИС и СБИС. Наиболее разработанными в техническом л технологическом отношениях являются электронная и рентгеновская литографии. Технология ионной литографии характеризуется большими потенциальными возможностями, но еще находится в начальной стадии разработки. [17]
В отличие от рентгеновских ионные лучи могут быть легко сфокусированы и сформированы в узкие пучки, позволяющие получать линии шириной 0 1 мкм. Ионная литография обеспечивает в 2 - 3 раза более высокую точность совмещения рисунков ( - 0 01 мкм), чем при использовании электронных лучей. Вследствие большой массы частиц ионные пучки значительно меньше чем электронные пучки подвергаются влиянию паразитных электрических полей. Вторичные электроны, возникающие в резисте при облучении, имеют среднюю длину пробега не более 0 1 мкм, практически отсутствуют эффекты близости. Все это в целом существенно повышает разрешающую способность резистов. Большой ток ионного пучка и высокая чувствительность позитивного резиста РММА ( полиметилметакрилат) к ионам, превышающая на 1 - 2 порядка чувствительность к электронам, обусловливают высокую производительность процесса ионной литографии. Существенным достоинством процесса ионной литографии является его хорошая технологическая совместимость с другими операциями, применяющимися в субмикронной технологии ИС. [18]
В отличие от рентгеновских ионные лучи могут быть легко сфокусированы и сформированы в узкие пучки, позволяющие получать линии шириной 0 1 мкм. Ионная литография обеспечивает в 2 - 3 раза более высокую точность совмещения рисунков ( - 0 01 мкм), чем при использовании электронных лучей. Вследствие большой массы частиц ионные пучки значительно меньше чем электронные пучки подвергаются влиянию паразитных электрических полей. Вторичные электроны, возникающие в резисте при облучении, имеют среднюю длину пробега не более 0 1 мкм, практически отсутствуют эффекты близости. Все это в целом существенно повышает разрешающую способность резистов. Большой ток ионного пучка и высокая чувствительность позитивного резиста РММА ( полиметилметакрилат) к ионам, превышающая на 1 - 2 порядка чувствительность к электронам, обусловливают высокую производительность процесса ионной литографии. Существенным достоинством процесса ионной литографии является его хорошая технологическая совместимость с другими операциями, применяющимися в субмикронной технологии ИС. [19]