Логарифм - электропроводность
Cтраница 1
Логарифм электропроводности, 96 как и в случае ионных проводников тока, оказывается линейной функцией обратной абсолютной температуры. [1]
Логарифм электропроводности, как и в случае ионных проводников тока, оказывается линейной функцией, обратной абсолютной температуры. [2]
Хорошо коррелирует с энергией КИУ логарифм электропроводности, что видно на рис. 66, иллюстрирующем связь свойств системы As - Se с КИУ. [3]
На рис. 8 даны значения логарифма электропроводности расплавленных и твердых солей вблизи вязкости системы ани-их температуры кристаллизации или плавления. Оказывается, что пределы изменения электропроводности расплавленных солей не превышают 0.5 - 1.0 порядка, в то время как пределы изменения электропроводности тех же солей в твердом состоянии достигают 5 - 7 порядков. [4]
В соответствии с ( 21) логарифм электропроводности должен быть линейной функцией обратной температуры. В ряде случаев [10, 11, 24] эта зависимость действительно имеет место. При изучении предкристаллизационного состояния растворов хлористого лития [24] было найдено, что прямые lg x / ( i / Т) имеют один или несколько изломов. Некоторые из них близки к температуре насыщения при соответствующей концентрации. [5]
 |
Электропроводность полупроводника, содержащего примеси. [6] |
На рис. 29 приведен график зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры для типичного полупроводника л-типа. При низкой температуре электропроводность мала, но она возрастает логарифмически по мере возбуждения электронов от донорных центров в зону проводимости. Когда температура настолько высока, что все доноры ионизированы, при дальнейшем повышении температуры электропроводность падает из-за усиления рассеяния в решетке. В этой области, называемой областью истощения, вещество ведет себя как металл. При еще более высоких температурах электропроводность снова возрастает, так как происходит возбуждение из валентной зоны в зону проводимости. Другими словами, вещество ведет себя как внутренний полупроводник. [7]
На рис. 12.3 изображен график зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры для кремния с примесью бора. [8]
На рис. 4 экспериментальные данные тока электризации приведены в зависимости от логарифма электропроводности. Каждая кривая соответствует постоянной скорости течения жидкости. [9]
Изменение логарифма равновесного давления пара синтеза полупроводников на несколько единиц ( например, на 5 - 6) влечет за собой изменения логарифма электропроводности также на несколько единиц. [10]
 |
Обобщенная схема зависимости IgPb / Oga Для электронных и дырочных полупроводников. [11] |
Изменение логарифма равновесного давления пара синтеза полупроводников на несколько единиц ( например, на 5 - 6) влечет за собой изменения логарифма электропроводности также на несколько единиц. Ход зависимости lg а - lg PB, как показано в нашей лаборатории, не всегда линейный, что связано с изменением подвижности. [12]
Предположив, что подвижность не зависит от температуры, так что а пропорциональна п, можно найти энергию возбуждения ( Ее - ED) из наклона графика зависимости логарифма электропроводности от обратной температуры. [13]
На этом рисунке по нижней оси абсцисс отложено приложенное к сопротивлению напряжение в вольтах, по правой оси ординат - ток, протекающий через сопротивление, в миллиамперах. В левой части рисунка помещены зависимости логарифма электропроводности от корня из напряжения и логарифма электропроводности материала от величины, обратной абсолютной температуре. [14]
Аналогичный вид имеют зависимости активной составляющей от удельной электропроводности х, пропорциональной омической электропроводности, и от концентрации электролитов с ( в предположении, что соединение полностью диссоциировано) или от логарифмов этих величин. Напротив, можно показать, что зависимость реактивной составляющей от логарифма омической электропроводности или соответственно логарифма удельной электропроводности представляет собой S-образную кривую. [15]
Страницы: 1 2