Алькатрон
Cтраница 1
 |
Специальные конструкции транзисторов с управляющим р - / г-переходом. а. - текнетрон. б - алькатрон. а - пленарный. [1] |
Алькатрон имеет круговую геометрию. Он представляет собой пластину полупроводника, на одной стороне которой расположен центральный сток и кольцевой исток. Между стоком и истоком находится узкая кольцевая канавка, на дне которой создан p - n - переход. На нижней стороне пластины имеется еще один p - n - переход. Нижний затвор выполнен в виде диска. Дополнительный электрод предназначен для фокусирования потока носителей за счет расширения запирающего слоя при обратном смещении, приложенном к нижнему затвору. На верхний кольцевой затвор подается управляющий сигнал. В этом приборе входная и выходная емкости, а также длина канала снижаются до минимума. Вторым преимуществом алькатрона является то, что основные носители в нем дрейфуют по радиусу от истока к стоку. [2]
Следующей разновидностью канального прибора является алькатрон. Конструкция алькатрона определяется стремлением исключить недостатки, присущие текнетрону. Желание уменьшить величину емкости в текнетроне приводит к существенному сужению входного р-п перехода. Длина канала при этом сокращается до минимума. При минимальном сечении канала и малой его длине область повышенного сопротивления оказывается заключенной в очень малом объеме. В то же время практически вся мощность, рассеиваемая текнетроном, рассеивается в области канала. Таким образом, уменьшение геометрических размеров канала приводит к необходимости значительного снижения рассеиваемой мощности. [3]
ВПЭ-транзистор high-frequency - ВЧ-транзистор light-activated - оптотранзистор; фототрашистор mesa - мезатранзистор metal-insulator - semiconductor - МДП-трагаистор metal-oxide - semiconductor - МОП-трашистор MIS - МДП-транзистор MOS - МОП-трашистор optical - оптотранзистор optoelectronic - оптотранзистор photosensitive - фототранзистор unipolar field-effect - алькатрон transistorization транзисторизация transistorized полупроводниковый transit нефт. [4]
Следующей разновидностью канального прибора является алькатрон. Конструкция алькатрона определяется стремлением исключить недостатки, присущие текнетрону. Желание уменьшить величину емкости в текнетроне приводит к существенному сужению входного р-п перехода. Длина канала при этом сокращается до минимума. При минимальном сечении канала и малой его длине область повышенного сопротивления оказывается заключенной в очень малом объеме. В то же время практически вся мощность, рассеиваемая текнетроном, рассеивается в области канала. Таким образом, уменьшение геометрических размеров канала приводит к необходимости значительного снижения рассеиваемой мощности. [5]
 |
Варианты конструкции канальных транзисторов. [6] |
Ной его особенностью является то, что основные носители в нем движутся по радиусам от истока к стоку. Кроме того, алькатрон имеет второй электронно-дырочный переход, с помощью которого можно устанавливать начальную ширину канала значительно точнее, чем это можно сделать механической обработкой или травлением. [7]
Еще один вариант конструкции канального транзистора показан на рис. 5.64, в. Такой прибор называется алькатроном. [8]
Один из вариантов конструкции полевого транзистора с р-п-пе-реходом в качестве затвора показан на рис. 4.1, в. Такой прибор называют алькатроном. Отличительной особенностью его является то, что основные носители движутся в нем от истока к стоку по радиусам. Кроме того, алькатрон имеет второй p - n - переход, с помощью которого можно устанавливать начальную ширину канала значительно точнее, чем при механической обработке кристалла. При наличии второго р - / г-перехода возникает возможность дополнительного управления полевым транзистором. [9]
Характерными представителями этой группы приборов являются двухбазовый диод и канальный или униполярный триод. В зарубежной литературе модификации последнего, имеющие несколько отличающиеся конструкции, известны под названием текнетрон и алькатрон. Однако в первом случае прямосмещенный переход инъектирует неосновные носители в объем полупроводника, во втором - обратносмещенный переход меняет ширину канала, ток через который определяется основными носителями, уже присутствующими в объеме полупроводника. Поэтому физические процессы в обоих приборах, а также их свойства и параметры резко отличаются. [10]
Один из вариантов конструкции полевого транзистора с р-п-пе-реходом в качестве затвора показан на рис. 4.1, в. Такой прибор называют алькатроном. Отличительной особенностью его является то, что основные носители движутся в нем от истока к стоку по радиусам. Кроме того, алькатрон имеет второй p - n - переход, с помощью которого можно устанавливать начальную ширину канала значительно точнее, чем при механической обработке кристалла. При наличии второго р - / г-перехода возникает возможность дополнительного управления полевым транзистором. [11]
Ной его особенностью является то, что основные носители в нем движутся по радиусам от истока к стоку. Кроме того, алькатрон имеет второй электронно-дырочный переход, с помощью которого можно устанавливать начальную ширину канала значительно точнее, чем это можно сделать механической обработкой или травлением. Алькатрон обеспечивал мощность 5 - 6 вт и мог работать на частотах до 100 - 150 Мгц. [12]
Алькатрон имеет круговую геометрию. Он представляет собой пластину полупроводника, на одной стороне которой расположен центральный сток и кольцевой исток. Между стоком и истоком находится узкая кольцевая канавка, на дне которой создан p - n - переход. На нижней стороне пластины имеется еще один p - n - переход. Нижний затвор выполнен в виде диска. Дополнительный электрод предназначен для фокусирования потока носителей за счет расширения запирающего слоя при обратном смещении, приложенном к нижнему затвору. На верхний кольцевой затвор подается управляющий сигнал. В этом приборе входная и выходная емкости, а также длина канала снижаются до минимума. Вторым преимуществом алькатрона является то, что основные носители в нем дрейфуют по радиусу от истока к стоку. [13]
Страницы: 1