Транзисторно-транзисторная логика
Cтраница 2
Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III -диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения б В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VD1, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [16]
 |
Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [17] |
На рис. 8.22 представлена схема логического элемента транзисторно-транзисторной логики со сложным инвертором. Все элементы имеют графические буквенно-цифровые обозначения в соответствии с ГОСТами ЕСКД - Транзисторы изображены без корпуса. Выходы, входы и контакты питания в схеме располагают в ряд, в данном случае - вертикально. [18]
Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III - диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения 6 В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VDI, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [19]
 |
Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [20] |
На рис. 8.22 представлена схема логического элемента транзисторно-транзисторной логики со сложным инвертором. Все элементы имеют графические буквенно-цифровые обозначения в соответствии с ГОСТами ЕСКД. Транзисторы изображены без корпуса. Выходы, входы и контакты питания в схеме располагают в ряд, в данном случае - вертикально. [21]
 |
Основные параметры базовых логических элементов разных технологий. [22] |
В настоящее время наиболее широко применяются микросхемы транзисторно-транзисторной логики ( ТТЛ), так как их параметры соответствуют требованиям разнообразной электронной аппаратуры. ИМС ТТЛ обладают сравнительно высоким быстродействием при относительно большой потребляемой мощности, высокой помехоустойчивостью и большой нагрузочной способностью. [23]
Микросхемы данной серии построены на базовых элементах транзисторно-транзисторной логики. [24]
 |
Сравнительная характеристика технологии БИС. [25] |
Биполярные БИС строятся на основе элементов с транзисторно-транзисторной логикой ( ТТЛ), имеют более высокое быстродействие, но в то же время и более высокое энергопотребление по сравнению с МДП БИС. [26]
ДТЛ; резистивно-емкостная транзисторная логика - РЕТЛ; транзисторно-транзисторная логика - ТТЛ; эмиттерно-свяэанная транзисторная логика - ЭСЛ. [27]
ДТЛ; реэистивно-емкостная транзисторная логика - РЕТЛ; транзисторно-транзисторная логика - ТТЛ; эмиттерно-связанная транзисторная логика - ЭСЛ. [28]
Широко распространены в быстродействующих вычислительных устройствах серии ИС транзисторно-транзисторной логики ( ТТЛ) и эмиттерно-связанной логики ( ЭСЛ), характеризуемые высоким быстродействием и значительным уровнем интеграции. Для обеспечения высокой надежности проектируемых устройств необходимы правильное применение микросхем и соблюдение режимов их эксплуатации. Нарушение этих требований из-за недостаточного знания технических свойств ИС и их электрических параметров чаще всего приводит к отказам аппаратуры. [29]
 |
Принципиальная схема стабилизированного источника питания постоянного тока 1 А напряжением 5 В. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5