Транзисторная логика - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Никогда не недооценивай силы человеческой тупости. Законы Мерфи (еще...)

Транзисторная логика

Cтраница 4


Группа элементов с входным преобразователем и инвертором на выходе включает в себя резистивно-транзисторные логические элементы ( РТЛ) с резистивной логической схемой на входе, диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ) с диодной логической схемой на входе и транзистор-транзисторные логические схемы ( ТТЛ) с транзисторной логикой на входе.  [46]

По схемотехническим принципам, заложенным в структуру основного логического элемента, различают следующие семейства элементов на биполярных транзисторах: резисторно-транзисторной логики ( РТЛ), диодно-транзисторной логики ( ДТЛ), транзисторной логики с непосредственными связями ( НСТЛ), транзисторно-транзисторной логики ( ТТЛ), транзисторной логики с эмиттерными связями ( ЭСЛ) и некоторые другие.  [47]

Скачки входного сигнала приводят к переключению / э с транзистора V5 на транзисторы VI-V4 и обратно. Поэтому эти схемы называют транзисторной логикой на переключателях тока.  [48]

Во-первых, элементы с транзисторной логикой ( ТЛ), в которых каждому входу соответствует свой транзистор. Коллектор транзистора подключается к выходной шине схемы.  [49]

Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя. Элементы ТЛЭС работают по прин-пипу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока.  [50]

Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входя. Элементы ТЛЭС работают по принципу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока.  [51]

Быстродействие всех рассмотренных ранее логических элементов ограничено временными задержками, которые вызваны процессами накопления неосновных носителей в базах транзисторов, работающих в режиме насыщения. Существенно большее быстродействие имеют цифровые схемы транзисторной логики с эмиттерными связями ( ТЛЭС), в которых транзисторы при работе не входят в насыщение. Элементы ТЛЭС работают по принципу переключения токов при малых изменениях входных напряжений. Вследствие этого элементы ТЛЭС часто носят название логических схем с переключателями тока.  [52]

В основу базовых схем логических элементов положены схемы диодной и транзисторной логики, реализующие функции конъюнкции и дизъюнкции. Одновременно с функцией конъюнкция ( при последовательном соединении транзисторов) или дизъюнкция ( при параллельном соединении транзисторов) транзисторная логика реализует функцию отрицания.  [53]

Связь между ступенями логических элементов осуществляется либо непосредственно, либо через резистор, либо через RC-цепочку. Тогда в название логики добавляют соответствующие буквенные обозначения: НСТЛ - транзисторная логика с непосредственной связью; НСТЛМ - транзисторная логика с непосредственной связью на МОП-транзисторе; РЕТЛ - транзисторная логика с резистивно-емкостной связью.  [54]

Предельное быстродействие DTL-ИС тср 10 - 20 не; / р - до 20 МГц при мощности 20 - 50 мВт / вентиль. Уровень помехозащищенности DTL-схем-ъ 2 - 3 раза превосходит уровень помехозащищенности схем транзисторной логики и достигает и 0 5 - 0 6 В.  [55]

Пропорциональной миниатюризацией занимаются многие. Например, путем моделирования было показано, что для ИС с транзисторной логикой эмиттерной связью ( ЭСЛ) при напряжении питания 3 В минимально возможная ширина базы составляет 50 нм.  [56]

Потенциальные логические схемы классифицируются по ряду признаков, в частности, по виду компонентов схемы, с помощью которых непосредственно выполняются логические операции над несколькими переменными. По этому признаку различают схемы с диодно-транзис-торной логикой ДТЛ, с транзисторной логикой ТЛ и резисторно-тран-зисторной логикой РТЛ.  [57]

По этому методу изготовлены ЭСЛ ЗУПВ с шириной эмиттера 1 2 мкм и временем выборки 10 не. Широко применяются И2Л - технология ( интегральная инжек-ционная логика) и MTL ( инжекционная транзисторная логика) - технология.  [58]



Страницы:      1    2    3    4