Достижение - температура - плавление
Cтраница 3
При нагревании все солеобразные гидриды ( кроме LiH) начинают диссоциировать с отщеплением водорода до достижения температуры плавления. Выделя -, ющийся при этом водород способен частично растворяться в расплавленном металле. [31]
В этих ганных возможна ошибка до -) 30 из-за частичного отщепления TiF4 еще до достижения температуры плавления. [32]
При нагревании все солеобразные гидриды ( кроме LiH) начинают диссоциировать с - отщеплением водорода до достижения температуры плавления. Выделяющийся при этом водород способен частично растворяться в расплавленном металле. [33]
Первая и вторая стадии протекают во время действия лазерного импульса, а условной границей между ними является момент достижения температуры плавления одного из компонентов. На нагрев поверхностного очага до температуры плавления расходуется немного больше половины энергии импульса, причем вклад теплового эффекта реакции в общий тепловой баланс несуществен. На второй стадии процесса оставшаяся энергия импульса расходуется в основном на плавление материала в поверхностном очаге. Третья стадия характеризуется переходом реакции в режим самораспространения. После окончания импульса останавливается продвижение фронта расплава. В очаге происходит охлаждение, а затем и кристаллизация. При этом освобождается энергия, которая путем теплопроводности передается в более глубокие слои образца. После прогревания слоя до необходимой глубины происходит вспышка реакции и ее распространение по мишени. В случае других экзотермических реакций для обеспечения инициирования необходимо формирование глубокого прогретого слоя. Итак, к моменту зажигания должен сформироваться достаточно глубокий прогретый слой вещества, который обеспечивает дальнейшее протекание реакции но всему объему образца. За время действия миллисекундного лазерного импульса подготовка прогретого слоя не успевает завершиться, и требуется дополнительный тепловой источник. [34]
Первая и вторая стадии протекают во время действия лазерного импульса, а условной границей между ними является момент достижения температуры плавления одного из компонентов. На на-трев поверхностного очага до температуры плавления расходуется немного больше половины энергии импульса, причем вклад теплового эффекта реакции в общий тепловой баланс несуществен. На второй стадии процесса оставшаяся энергия импульса расходуется в основном на плавление материала в поверхностном очаге. Третья стадия характеризуется переходом реакции в режим самораспространения. После окончания импульса останавливается продвижение фронта расплава. В очаге происходит охлаждение, а затем и кристаллизация. При этом освобождается энергия, которая путем теплопроводности передается в более глубокие слои образца. После прогревания слоя до необходимой глубины происходит вспышка реакции и ее распространение по мишени. В случае других экзотермических реакций для обеспечения инициирования необходимо формирование глубокого прогретого слоя. Итак, к моменту зажигания должен сформироваться достаточно глубокий прогретый слой вещества, который обеспечивает дальнейшее протекание реакции по всему объему образца. За время действия миллисекундного лазерного импульса подготовка прогретого слоя не успевает завершиться, и требуется дополнительный тепловой источник. [35]
Если внешний теплоотвод отсутствует, то скрытая теплота кристаллизации повышает температуру системы, и рост твердой фазы при достижении температуры плавления Гпл прекращается. [36]
В качестве tmin разные авторы предлагают использовать [21.17]: 1) время полного захлопывания пор, 2) время достижения температуры плавления на контактах между частицами, 3) время кристаллизации расплава по границам частиц. [37]
Все эти исследования показывают, что, как и следовало ожидать, аморфная часть увеличивается с ростом температуры и резко увеличивается при достижении температуры плавления. [38]
Рабинович [7] показал, что при нагревании хорошо смазанных поверхностей как коэффициент трения, так и количество перенесенного металла значительно увеличивались при достижении температуры плавления предполагаемой поверхностной пленки. Однако в противоположность эффектам трения было установлено, что перенос металла зависит также от температурных изменений в пределах ниже точки плавления поверхностных пленок. [39]
Через смесь при 80 - 110 С пропускают в течение 12 ч газообразный хлор со скоростью 13 - 14 г / ч до достижения температуры плавления реакционной массы 30 - 31 С. [40]
Если прекратить нагревание, жидкость начнет охлаждаться, и температура ее со временем будет падать, как это показано на рис. 3.44. По достижении температуры плавления жидкость должна начать кристаллизоваться. [41]
Если прекратить нагревание, жидкость начнет охлаждаться, и температура ее со временем будет падать, как это показано на рис. 3.44. По достижении температуры плавления жидкость должна начать кристаллизоваться. Практически, однако, при отсутствии затравки в чистой жидкости образование первоначальных микрокристалликов, являющихся центрами кристаллизации, затруднено и вещество, оставаясь в жидком состоянии, остынет до температуры Т Тпл. [42]
 |
Блок для определения температуры плавления высокоплавких веществ. [43] |
Проба вещества плавится за счет тепла, поступающего от нагретого шарика термометра, и так как ее масса очень мала, плавление наступает практически в момент достижения температуры плавления даже при достаточно большой скорости нагревания. [44]
 |
Блок для определения температуры плавления высокоплавких веществ. [45] |
Страницы: 1 2 3 4