Дифрагированные лучи

Cтраница 4

Считают, что дифрагированный луч возникает лишь в том случае, если система плоскостей ароматических структур веществ углей находится в отражающем положении. При освещении монохроматическим пучком лучей возникают дифрагированные лучи, интенсивность которых измеряется счетчиком. Интенсивности полосы 100 могут служить мерой величины углеродных ароматических сеток, а полосы 002 - их пространственной ориентацией. [46]

Поскольку в двумерной системе атомов периодичность вдоль нормали к поверхности потеряна, в этом направлении, не может быть конструктивной интерференции рассеянных волн. Ослабление дифракционных условий ведет к тому, что становится возможными дифрагированные лучи со всеми энергиями, а, следовательно, можно будет наблюдать дифракционную картину при всех энергиях и при любой геометрии. [47]

Рентгенограмма вращения монокристалла, сфотографированная на цилиндрическую пленку. [48]

Если вместо монокристалла использовать поликристалл, то в нем всегда найдутся такие кристаллики, в которых данная система плоско стей находится в отражающем положении. Поэтому при освещении поликристаллического образца монохроматическим пучком лучей возникают одновременно все дифрагированные лучи. Если какой-либо кристаллик, в котором данная система плоскостей находится в отражающем положении, вращать вокруг оси, совпадающей с - направлением первичной; пучка лучей, то дифрагированный луч опишет конус. [49]

При попадании в образец первичного нучка лучей ( длина волны Х0 5 - 2 0 А) вследствие дифракции возникают дифрагированные лучи. Изучая направление и интенсивность таких лучей, получают сведения о структуре вещества. Применяют два вида регистрации дифрагированных лучей: 1) на фотопленку; при этом на рентгенограмме в месте попадания луча возникает почернение - рефлекс; каждому дифрагированному лучу соответствует система параллельных плоскостей, расположенных определенным образом в кристаллите. Каждому рефлексу приписываются целочисленные индексы hkl, к-рые определяют положение соответствующей системы плоскостей относительно осей элементарной ячейки кристаллита ( см. Кристаллическое состояние); 2) с помощью счетчика рентгеновских квантов на специальном приборе - дифрактометре. [50]

При микроскопической работе апертура объектива ограничивается специальной апертурной диафрагмой 9 ( см. рис. 20.1 а), которую устанавливают возле задней главной фокальной плоскости объектива. При переходе к наблюдению дифракционной картины эту диафрагму убирают в сторону, так как для обычных объектов исследования в металловедении межплоскостные расстояния слишком малы, а углы дифракции слишком велики и дифрагированные лучи задерживаются апертурной диафрагмой. Обычно апертурный угол объективной линзы равен тысячным долям радиана. Для межплоскостных расстояний около 0 1 нм углы дифракции электронов составляют около сотой доли радиана. [51]

Более полную информацию о структуре кристалла получают методом вращения. С помощью этого метода определяют параметры элементарной ячейки. Дифрагированные лучи на фотопленке образуют линии, состоящие из отдельных пятен. Эти линии называются слоевыми. По расстояниям между этими линиями рассчитывают параметр решетки в направлении его оси вращения. [52]

Схема наблюдения дифракции Фраунгофера от малой круглой частицы дана на рис. 206, а. Монохроматический коллимированный пучок лучей от лазера 1 падает на круглую частицу 2 радиуса г, дифрагирует на ней и дает дифракционную картину на экране 3, расположенном на расстоянии / от частицы. При достаточно большом / дифрагированные лучи будут образовывать практически параллельные пучки, что соответствует схеме дифракции Фраунгофера. [53]

Образец 1 готовится в виде небольшого вытянутого цилиндра приблизительно 5 - 15 мм длиной и 0 1 - 1 0 мм в диаметре. Фотографическая пленка 3 изгибается в виде цилиндра и твердо укрепляется в таком положении, чтобы ее ось точно совпадала с осью образца. Таким образом, все дифрагированные лучи от образца перпендикулярны к пленке и проходят до нее одно и то же расстояние. [54]

Метод дифракционного контраста основан на том, что электронные лучи, дифрагированные на дефектах, не потгадают в отверстие апертурнои диафрагмы, тогда как прямой пучок проходит через него. Это дает изображение в светлом поле. Если же в плоскость изображения попадают только дифрагированные лучи, а прямые лучи ее не достигают ( это достигается смещением апертурнои диафрагмы), то такое изображение называют темнопольным. Контуры включения избыточных фаз при изучении тонких пленок выявляются достаточно четко из-за изменения условий дифракции, а также из-за интерференционного эффекта и скопления дефектов на границах. [55]

Метод дифракционного контраста основан на том, что электронные лучи, дифрагированные на дефектах, не попадают в отверстие апертурной диафрагмы, тогда как прямой пучок проходит через него. Это дает изображение в светлом поле. Если же в плоскость изображения попадают только дифрагированные лучи, а прямые лучи ее не достигают ( это достигается смещением апертурной диафрагмы), то такое изображение называют темнопольным. Контуры включения избыточных фаз при изучении тонких пленок выявляются достаточно четко из-за изменения условий дифракции, а также из-за интерференционного эффекта и скопления дефектов на границах. [56]

Особый интерес представляют вогнутые дифракционные решетки, изобретенные Роуландом. Они изготовляются в виде металлического сферического зеркала, на вогнутой полированной поверхности которого нанесены резцом штрихи. Такая отражательная решетка обладает замечательным свойством - она сама фокусирует дифрагированные лучи. [57]

А 0 5 - 2 0 А) вследствие дифракции возникают дифрагированные лучи. Изучая направление и интенсивность таких лучей, получают сведения о структуре вещества. Применяют два вида регистрации дифрагированных лучей: 1) на фотопленку; при этом на рентгенограмме в месте попадания луча возникает почернение - рефлекс; каждому дифрагированному лучу соответствует система параллельных плоскостей, расположенных определенным образом в кристаллите. Каждому рефлексу приписываются целочисленные индексы hkl, к-рые определяют положение соответствующей системы плоскостей относительно осей элементарной ячейки кристаллита ( см. Кристаллическое состояние); 2) с помощью счетчика рентгеновских квантов на специальном приборе - дифрактометре, Передвигая счетчик или образец, можно записывать на дифрактометре распределение интенсивности вдоль какого-либо направления в пространстве - дифрактограмму. [58]

При замене амплитудной решетки каким-нибудь непериодическим объектом дифрагированное излучение непрерывно распределится в фокальной плоскости объектива. Крупным деталям объекта соответствуют низкие частоты, так как излучение, дифрагированное на них, мало отклонится от прямолинейного распространяющегося пучка. Малые детали объекта, которым соответствуют высокие пространственные частоты, дадут дифрагированные лучи, сильно отклоненные от направления распространения параллельного пучка света. [59]

Страницы: 1 2 3 4