Cтраница 4
Толщина слоев выбирается так, что отраженные лучи на одних длинах волн складываются, а на других - уничтожаются. [46]
![]() |
Отражение лучей плоскостями. [47] |
На рис. 43 сплошными прямыми обозначены отраженные лучи от плоскостей РР простой решетки, как это делалось при выводе основного уравнения дифракции. Однако, и для плоскостей QQ вставленной решетки будет иметь место такой же ход лучей, что показано пунктиром. [48]
Пусть, далее, учащиеся проведут отраженные лучи через фокус. [49]
Так как угол клина мал, то отраженные лучи 1 н 2 практически параллельны. Отраженные лучи когерентны и на поверхности клина будут наблюдаться интерференционные полосы. [50]
![]() |
Пересечение плоскостей ( слоев обратной решетки со сферой Эвальда при вращении. [51] |
Итак, при съемке монокристалла методом вращения отраженные лучи расходятся от него в виде дискретных лучей, лежащих на поверхности коаксиальных конусов, осью которых является ось вращения образца. [52]
Установку снабжают обшивкой из полированных алюминиевых листов, улавливающих отраженные лучи и вторично направляющих их на деталь, ограждающих от токов холодного воздуха и обеспечивающих правильную естественную вентиляцию зоны сушки. [53]
Начало координат поместим в тонку, в которой собираются отраженные лучи. Обозначим падающий луч через К. [54]
Какова наименьшая толщина пленки, если в результате интерференции отраженные лучи максимально ослаблены. [55]
![]() |
Схема опыта Бреггов. [56] |
Если А равны целому числу волн тг, то отраженные лучи в результате интерференции будут максимально усиливать друг друга, и их можно будет обнаружить с помощью ионизационной камеры. [57]
Начало координат поместим в точку, в которой собираются отраженные лучи. Обозначим падающий луч через К. [58]
Начало координат поместим в точку, в которой собираются отраженные лучи. [59]