Cтраница 2
![]() |
Семисегментные цифровые индикаторы и способы представления цифр. [16] |
Элементная база индикаторов может быть различной: низковольтные катодолюминесцентные ( вакуумно-люминесцентные) элементы, светоизлу-чающие диоды, жидкокристаллические элементы. Каждый из физико-технических способов индикации чисел имеет свои преимущества и недостатки. [17]
Подобная элементная база доступна многим, но устройства на ее основе требуют тщательного налаживания, недостаточно термостабильны и экономичны. [18]
Элементная база электроники - это отдельные детали или модули, представляющие собой предварительно собранные из отдельных деталей схемы неразъемных соединений. Элементную базу принято разделять на три группы З лементов: - активные, преобразующие и пассивные. [19]
Штегральная элементная база отличается значительно более высоко. [20]
Элементная база первого поколения ( транзисторная логика с непосредственными связями ( ТЛНС), модифицированные ТЛНС, резисторно-транзисторная логика ( РТЛ)) характеризуется невысоким быстродействием и средней мощностью потребления. В цифровых устройствах, выполненных на этих элементах, средние задержки распространения на один элемент не могут быть ниже 50 не, но в то же время получается сравнительно малая мощность потребления. Существенный недостаток этих схем-наличие большого количества резисторов, занимающих на подложке большую площадь, что не позволяет использовать их в качестве элементной базы для схем средней и большой интеграции. [21]
Элементная база второго поколения ( ДТЛ, ТТЛ и ЭСЛ) выполняется как схемы среднего быстродействия ( ДТЛ и ТТЛ) и как быстродействующие и сверхбыстродействующие ( ТТЛ и ЭСЛ) схемы. Схемы ДТЛ-типа, уступая схемам ТТЛ-типа по всем параметрам, изготовлялись и изготовляются в основном в гибридном исполнении, а поэтому и не используются в качестве элементной базы СИС и БИС. [22]
![]() |
Характеристика реле с торможением.| Использования различия между формой кривой тока КЗ и формой кривой бросков тока намагничивания для выполнения дифференциальных реле. [23] |
Полупроводниковая микроэлектронная элементная база позволяет сравнительно просто выполнять такие реле. Броски тока намагничивания могут быть как однополярные, так и разнополярные. [24]
Элементная база промышленной электроники прошла несколько этапов развития - от радиоламп до микропроцессоров. [25]
Новая аналоговая элементная база включает в себя универсальные операционные усилители, компараторы, перемножители сигналов, коммутаторы, стабилизаторы напряжения, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Аналоговые ИС также позволяют создавать различные специализированные и универсальные вычислительные устройства и средства автоматизации на их основе. Следует отметить, что многие наиболее совершенные методы обработки сигналов в противоаварийной автоматике энергосистем сравнительно просто реализуются средствами аналоговой техники, а в большинстве случаев исходя из требований надежности это наиболее целесообразно и по сей день. Указанное обстоятельство привело к тому, что в основу измерительной части современных защит, в первую очередь, были положены аналоговые ИС. Применение аналоговых ИС увеличивает точность, быстродействие, надежность защит, а также упрощает их процесс изготовления, наладки, обслуживания и значительно улучшает показатели габаритов и массы. [26]
Элементная база ЭВМ последующих поколений просматривается менее уверенно, но по прогнозам в следующем поколении появятся машины с быстродействием до миллиарда операций в секунду. Эта скорость будет повышаться благодаря параллельной работе всех устройств, в том числе нескольких процессоров. По всей видимости, станет возможным осуществление параллельного преобразования информации типа той, которая представляется в виде голограмм с помощью систем лазерных элементов. Небезынтересными являются также прогнозы по разработке соответствующих вычислительных сред, и ряд других, кажущихся сейчас фантастическими, проектов вычислительных машин. [27]
Элементная база ЦВМ третьего поколения ( 1965 - 1970 гг.) обеспечивается микроэлектроникой. Машины третьего поколения имеют меньшие габариты и потребляемую мощность, значительно лучшую надежность и быстродействие по сравнению с машинами второго поколения. [28]
Элементная база ЭВМ последующих поколений просматривается менее определенно, но по прогнозам, которые сейчас делаются, в следующем поколении появятся машины с быстродействием нескольких миллиардов операций в секунду. [29]
Элементная база ЭВМ третьего поколения основана на микроэлектронике, и это поколение характеризуется широким применением интегральных схем. Интегральная схема - это логически законченный функциональный блок, соответствующий достаточно сложной транзисторной схеме. Размеры такого блока невелики, из них собираются более сложные узлы методом печатного монтажа. [30]