Cтраница 1
Эффективная масса носителя тока играет немаловажную роль для получения максимальных параметров термоэлемента, однако до настоящего времени нет ясных указаний о том, к какой величине эффективной массы нужно стремиться, чтобы получить наилучшие результаты. [1]
Эффективная масса носителей тока и абсолютная температура играют немаловажную роль для получения максимальных параметров термоэлемента. Однако до настоящего времени нет никаких данных о том, к какой величине эффективной массы нужно стремиться, чтобы получить наилучшие результаты. [2]
Мало известно об эффективных массах носителей тока. Какие свойства решетки и зонной структуры уровней определяют величину этой массы и каковы пределы применимости самого понятия эффективной массы. [3]
ЭДС, подвижность и эффективная масса носителей тока ( индексы 1, 2 соответствуют обозначениям на рис. И. [4]
Здесь т - - эффективная масса носителя тока; - энергия ионизации соответствующего центра. Остальные символы имеют обычный смысл. [5]
Резюмируя сказанное, следует признать метод оценки эффективной массы носителей тока по температурной зависимости ширины запрещенной зоны более самосогласованным, чем определение эффективной массы из абсолютного значения термоэдс, дающим, однако, лишь порядок искомой величины. Для раздельного определения коэффициентов С / и Сн необходимо измерение зависимости ширины запрещенной зоны от давления и концентрации примесей. [6]
Для достижения большой электропроводности необходимы материалы с большой эффективной массой носителей тока. В сочетании с требованием высокой подвижности это условие может быть реализовано в - многодолинных анизотропных полупроводниках. [7]
Как в металлах, так и в полупроводниках эффективная масса носителей тока может быть как больше, так и меньше массы свободного электрона. [8]
Вытекающая из квантовой теории полупроводников связь подвижности с эффективной массой носителей тока на опыте не проверена. Численные значения эффективной массы, полученные различными авторами, расходятся во много раз. [9]
Отдельные слои в монокристаллах графита принято представлять как двумерный металл с эффективной массой носителя тока, равной массе свободного электрона. В перпендикулярном к слоям направлении - графит полупроводник. Поэтому ток в графите переносится как электронами, так и положительными дырками, а его проводимость определяется концентрацией носителей тока и их средним свободным пробегом. [10]
В этом отношении постоянная эффекта Холла имеет важное преимущество - она не зависит от значения эффективной массы носителей тока. [11]
Весьма характерной особенностью соединений типа А3В5 является высокая подвижность электронов, относительно малая подвижность дырок, малая эффективная масса носителей тока. Все эти особенности позволяют наблюдать в некоторых соединениях типа А3В5 новые, ранее неизвестные явления: аномалии оптического поглощения, слабую зависимость эффекта Холла и электропроводности от температуры в области низких температур, отрицательное изменение сопротивления в магнитном поле и - другие. [12]
Весьма характерной особенностью соединений типа А3В & является высокая подвижность электронов, относительно малая подвижность дырок, малая эффективная масса носителей тока. Все эти особенности позволяют наблюдать в некоторых соединениях типа А3В5 новые, ранее неизвестные явления: аномалии оптического поглощения, слабую зависимость эффекта Холла и электропроводности от температуры в области низких температур, отрицательное изменение сопротивления в магнитном поле и другие. [13]
Из предыдущего видно, что измерения эффекта Холла и магнето-сопротивления в монокристаллах полупроводника, при различных направлениях тока и магнитного поля, дают важную информацию об эффективных массах носителей тока и расположении энергетических поверхностей в бриллюэновской зоне. Такие измерения в и-германии и n - кремнии, проведенные до исследования в них циклотронного резонанса, привели к правильной картине энергетического спектра электронов проводимости. [14]
При всех видах рассеяния на тепловых флуктуацпях вычисление изменений, которые вносит такое рассеяние в функцию распределения квантовых состояний электрона, показывает, что подвижность тем больше, чем меньше эффективная масса носителей тока, а с ростом температуры она убывает. [15]