Эффективные массы - электрон
Cтраница 2
 |
Энергетический спектр электронов полупроводника в двухзонной модели.| Энергетический спектр электронов реального полупроводника. [16] |
Ее - ширина запрещенной зоны, от середины которой ведется отсчет энергии; тс, mv - эффективные массы электронов в зоне проводимости и валентной зоне. [17]
 |
Структура энергетических зон арсенида галлия п-типа. [18] |
Основным материалом для создания диодов Ганна является в настоящее время арсенид галлия / г-типа, энергетическая диаграмма которого представлена на рис. 6.7. В зоне проводимости имеется два минимума, эффективные массы электронов, в которых существенно различаются. [19]
Итак, при тр / п и при Т 0 К уровень Ферми в собственном полупроводнике проходит точно посередине запрещенной зоны. Но эффективные массы электронов и дырок в полупроводнике не равны, как правило тр тп, и поэтому уровень Ферми в собственном полупроводнике расположен ближе к зоне проводимости и при повышении температуры смещается вверх. [20]
Из анализа электрических сил, действующих на носители заряда ( см., например, (2.59)), следует, что дырка ведет себя так, как если бы она обладала положительным зарядом - - е и эффективной массой, равной по величине, но обратной по знаку эффективной массе отсутствующего электрона. Надо учесть, что эффективные массы электрона у потолка заполненной ( валентной) зоны отрицательны. Следовательно, дырка ведет себя как частица с положительной эффективной массой и положительным зарядом. [21]
Дырки же, отвечающие кривой 3, имеющей у вершины меньшую кривизну ( больший радиус кривизны), обладают большей эффективной массой и называются тяжелыми дырками. В табл. 5.1 приведены эффективные массы электронов и дырок в кристаллах кремния и германия, определенные методом циклотронного резонанса. [22]
 |
Энергетический спектр в приповерхностном слое при наличии электронов на поверхностных уровнях. Пунктирной линией отмечено место, где п. [23] |
В слое с дырочной проводимостью уровень Ферми лежит ближе к заполненной зоне, чем к зоне проводимости и наименьшая концентрация носителей тока и, следовательно, наибольшее сопротивление, будут вблизи места, где уровень Ферми находится от обеих зон на одинаковом расстоянии. Здесь n sp, если эффективные массы электронов и дырок мало отличаются друг от друга. Как видно из рис. 592, приповерхностный слой приобретает структуру р - л-перехода. [24]
В случае электрических сил из (2.67) следует, что дырка ведет себя так, как если бы она обладала положительным зарядом - ре и эффективной массой, равной по величине, но обратной по знаку эффективной массе отсутствующего электрона. При этом необходимо учесть, что эффективные массы электрона у потолка заполненной зоны отрицательны. Таким образом, дырка ведет себя как частица с положительной массой и положительным зарядом. Резюмируя полученные выше результаты, можно сказать, что в идеальном кристалле и электроны и дырки движутся под действием приложенных внешних полей как свободные частицы с отрицательным или положительным зарядом и соответствующими величинами эффективных масс. Как правило, эффективные массы электронов и дырок отличаются друг от друга, поскольку они относятся к различным зонам. [25]
Предложена двухзонная модель энергетического спектра электронов бинарных соединений VsSi3 и VsGe3 с тетрагональной структурой. С помощью этой модели рассчитаны некоторые параметры переноса и электронного спектра: эффективные массы электронов и дырок, их подвижность н концентрация, а также плотность состояний вблизи уровня Ферми при ОК. При расчетах указанных параметров использовались данные о коэффициентах электропроводности, абсолютной термоЭДС, Холла, магнитной восприимчивости, а также их температурных зависимостях. [26]
 |
Зависимость уровня Ферми от температуры в собственном полупроводнике.| Зависимость концентрации носителей в собственном полупроводнике от температуры, построенная в координатах Inni, от / Т. [27] |
Ясно, что вырождение в собственном полупроводнике наступает только в том случае, когда эффективные массы электронов и дырок значительно различаются. [28]
Этот вывод подтверждают и данные по исследованию циклотронного резонанса [39] и магнитосопротивления. Подвижность электронов, вычисленная из поперечного магнитосопротивления в предположении об эллипсоидальности изоэнергетических поверхностей, находится в хорошем согласии с холловской подвижностью. Эффективные массы электронов и дырок в CdAs2 анизотропны. [29]
 |
Зависимость времени жизни от концентраций донорных и акцепторных примесей ( а и удельного сопротивления ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3