Масштаб - толщина
Cтраница 1
 |
Схема электрическая подключения полупроводниковой ИС. [1] |
Масштаб толщины слоев для наглядности допускается не выдерживать. Основные данные слоев ИС указывают в таблице на поле чертежа. Сведения о технологии изготовления ИС указывают в технических требованиях на поле чертежа. [2]
Так как в заданном масштабе толщины стенок корпуса, штуцеров, фланцев получаются меньше 2 мм, изображаем их с отступлением от масштаба в сторону увеличения, стремясь при этом сохранить основные габаритные размеры и размеры тех частей устройства, на которых нужно будет делать разметку, например, у корпуса и штуцеров сохраняем внешние размеры, а у фланцев сохраняем внутренние размеры. [3]
Отсюда следует закон убывания масштабов толщин и поперечных скоростей в пограничном слое: с возрастанием рейнольдсова числа поперечные размеры а скорости в пограничном слое изменяются обратно пропорционально корню квадратному из рейнольдсова числа. Это соотношение прекрасно подтверждается опытом. [4]
Пользуясь ранее установленным, пока качественным представлением о малости масштаба толщины пограничного слоя б по сравнению с характерным для потока в целом масштабом длин L, заключим о крайней малости ( порядок квадрата отношения 6 / L) первого члена в круглых скобках справа в рассматриваемом уравнении по сравнению со вторым членом д2шду2, что позволяет сохранить в уравнении только этот второй член. [5]
Пусть мы имеем линию распределения упругости ( жирная ломаная линия) в трехслойном ограждении, вычерченном в масштабе толщины; требуется найти фокусы применительно ко второму слою. Продолжив линию е е2 до горизонта упругости внутреннего воздуха е найдем левый фокус Флев; продолжив линию е вч до горизонта упругости наружного воздуха ен, найдем правый фокус Фправ Если предположить, что второй слой вычерчен в масштабе паросопротивления и его величина равна Я2, то, как видно непосредственно из рис. 147, величина паросопротивления первого слоя равна расстоянию Н, а величина паросопротивления третьего слоя-расстоянию Яз. [6]
Например, при исследовании прочности и устойчивости тонкостенных конструкций типа оболочек и пластан на моделях из-за технологических ограничений в масштабах толщин приходится иногда отступать от полного геометрического подобия и вводить два или несколько линейных масштабов. При этом геометрическое подобие образцов заменяется аффинным соответствием ( аффинным подобием) модели и натуры. [7]
 |
Схема строения турбулентного пограничного слоя. [8] |
А - внешняя область; Б - пристенная область ( I -вязкий подслой, II - промежуточный слой); на рисунке масштабы толщин смещены. [9]
Предположим, что у нас есть два тонких профиля крыла, которые геометрически подобны в том смысле, что они стали бы идентичными, если изменяется масштаб толщины. Например, можно сравнить два профиля крыла: одно 3 - х процентной, а другое 6-процентной максимальной толщины; распределение ординат, выраженное на основе максимальной ординаты, является тождественным. На основе рассмотрения уравнений движения течения установим, относительно двумерного течения, что структура потока должна быть подобна, если отношение t1 / J - M2 имеет одинаковое значение, где t - максимальная относительная толщина, а М - число Маха. Следовательно, если у нас есть величина распределения давления, коэффициент подъемной силы или коэффициент лобового сопротивления для одного из профилей крыла как функций числа Маха, мы сможем рассчитать соответствующие величины для других подобных профилей крыла с различной относительной толщиной. Прогнозы на основании правила подобия очень хорошо соответствуют экспериментам. Установлено также, что правило подобия приблизительно верно, даже если в течении появляются относительно слабые ударные волны. [10]
Дальнейшее рассмотрение приближенных методов подобия и моделирования тонкостенных конструкций связано с использованием аффинно-подобных моделей, геометрические характеристики которых определяются не одним, а несколькими линейными масштабами, в том числе масштабом толщины и масштабами размеров срединной поверхности. [11]
В отличие от условий подобия (4.1.9), найденных из нормализованных уравнений до их упрощения, критерии приближенного подобия (4.27) не требуют геометрического подобия модели и натуры. В соответствии с формулами (4.28) масштабы толщин и радиусов кривизны оболочек не связаны между собой. [12]
Основные трудности при моделировании конструкций типа оболочек и пластин связаны с фактором тонкостенности, который существенно усложняет производство и испытания моделей. Поэтому естественным является стремление применить для динамических испытаний такие модели, для которых масштаб толщин стенки выбирается независимо от геометрического масштаба габаритных размеров, позволяя изменять относительную толщину полотна модели h / R в большую сторону. [13]
Изучение движения вязкой жидкости в области пограничного слоя основывается, как уже упоминалось, на интегрировании уравнений пограничного слоя, представляющих уравнения Стокса, существенно упрощенные за счет принятия в расчет малости толщины пограничного слоя. Прандтля) уравнений, как будет показано в следующем параграфе, представляется первым членом разложения решения уравнения Стокса в ряд по степеням малого безразмерного параметра - отношения масштаба толщины пограничного слоя к характерному для потока в целом масштабу обтекаемого тела ( например, хорде крыла) - имеющего порядок обратной величины корня квадратного из рейнольдсового числа. Этот первый член содержит малый параметр в нулевой степени, поэтому уравнения пограничного слоя можно рассматривать как нулевое приближение в асимптотическом ( при больших рейнольдсовых числах) разложении болееобщих уравнений движения вязкой жидкости - уравнений Стокса. [14]
На тополО Пйчеоком сборочном чертеже помещается структура кристалла - ( сложный ступенчатый разрез, где секущие плоскости проходят через различные элементы и компоненты. Толщина слоев обозначается буквой Н с соответствующим цифровым индексом. Масштаб толщины слоев для наглядности допускается не выдерживать. Основные данные слоев ИС приводятся в таблице этого чертежа. Допускается структуру кристалла, используемую в кристаллах ряда ИС ( типовую структуру), оформлять отдельным КД. [15]
Страницы: 1 2