Cтраница 4
Зависимость концентрации частиц в беспримесном полупроводнике от температуры. [46] |
Изображение зависимости концентрации частиц от температуры в полулогарифмическом масштабе весьма удобно, так как с изменением температуры на несколько десятков Градусов концентрация носителей заряда может изменяться на несколько-порядков. [47]
Связь между параметрами qlt m TIL k. [48] |
Эта зависимость представлена на рис. 6 в полулогарифмическом масштабе. Как видно, концентрирование основной части излучающих атомов в приосе-вой области столба повышает общую неоднородность слоя ( в частности, ведет к значительному отклонению от термодинамического равновесия вследствие выхода излучения) лишь в случае очень малого таунсендовского градиента. [49]
Амплитудно-частотные характеристики широкополосных усилителей обычно строятся в полулогарифмическом масштабе. [50]
Каждая из этих характеристик, построенных в полулогарифмическом масштабе, имеет в области отрицательных потенциалов прямолинейную часть PQ. Это означает, что In / a есть линейная функция [ Уа. Это легко объясняется на основании выводов, сделанных в предыдущей главе. [51]
При графическом изображении - этих данных в полулогарифмическом масштабе для семи из девяти испытанных пластификаторов были получены примерно однотипные кривые, располагавшиеся практически параллельно. Для двух других пластификаторов были получены другие кривые испарения. [52]
Построив график зависимости гк от Убэ в полулогарифмическом масштабе ( напряжение - в линейном, а ток-в логарифмическом масштабе), получают линейную функцию в довольно широком диапазоне токов. Полученную прямую продолжают до пересечения с осью токов. Последнее равенство имеет место при постоянном токе. [53]
Прямая ветвь ВАХ диода. [54] |
Таким образом, построение ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе может дать информацию относительно возможных механизмов прохождения тока. Надо учесть, что прямолинейные участки на этой кривой могут плавно переходить один в другой, так что определить их границы точно не представляется возможным. Иногда некоторые участки отсутствуют. [55]
Сравнение плотности вероятности распределения шаровых молний по диаметру, полученной из одних и тех же наблюдений. [56] |
Параметр XQ можно определить, построив в полулогарифмическом масштабе зависимость f ( x) / x от л:, которая согласно (2.10) должна иметь вид прямой линии. [57]
Суммарная кривая распада наносится на график в полулогарифмическом масштабе. Нетрудно видеть, что получившаяся сложная кривая по мере распада короткоживущего изотопа переходит в прямую линию. [58]
Прямая ветвь ВАХ диода. [59] |
Таким образом, построение ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе может дать информацию относительно возможных механизмов прохождения тока. Надо учесть, что прямолинейные участки на этой кривой могут плавно переходить один в другой, так что определить их границы точно не представляется возможным. Иногда некоторые участки отсутствуют. [60]