Материал - канал
Cтраница 1
Материал канала должен при этом удовлетворять всем перечисленным в начале данной главы требованиям. [1]
 |
Сечения ускорителя со сложным составным элементом ( а и метаемого элемента ( б. [2] |
В ряде областей возможно разрушение материалов канала и метаемого тела. Для ускорителя эти явления можно адекватно учитывать только на уровне трехмерных моделей. [3]
Температурная зависимость тока истока связана с изменением подвижности основных носителей заряда в материале канала. Крутизна S полевых транзисторов уменьшается с повышением температуры. [4]
Метод комбинированного воздействия ( разрушения), позволяющий осуществлять предварительное образование в материале канала пробоя от действия обычного высокочастотного импульса с последующим наложением на него мощного импульса тока от ЭГ-установки. Воздействие ( разрушение) в этом случае осуществляется комбинированным действием электрогидравлического и электропневматического ударов. [5]
Это сопротивление зависит в первую очередь от размеров канала и от удельного сопротивления материала канала. [6]
 |
Диффузионные конденсаторы и их эквивалентные схемы.| Конденсатор структуры МДП. а - конструкция. б - эквивалентная схема. [7] |
Температурная зависимость сопротивлений на полевых транзисторах с управляющим р-п переходом определяется изменением сопротивления материала канала и контактной разности потенциалов, вызывающей изменение управляющего напряжения на затворе. В резисторах с МДП структурой на температурную зависимость сопротивления, кроме удельного сопротивления материала канала оказывают влияние изменения активности поверхностных ловушек. Эти механизмы вызывают различные по знаку изменения проводимости канала. Результирующие значения температурных коэффициентов сопротивлений, как правило, составляют доли процента на градус Цельсия. [8]
 |
Покровы ( я, потоки ( б, некки ( в, сомма ( г и конусы ( 9 на поверхности п в разрезах. [9] |
Некки ( см. рис. 50, в) образуются при заполнении лавой или пи-рокластическим материалом каналов вулканических аппаратов. Они имеют в плане округлые очертания с диаметром до 1 5 км. [10]
С / С и по каналу течет ток, который образует падение напряжения на сопротивлении материала канала. [11]
Вентиляционные каналы строят из материала, стойкого к действию коррозирующих газов и паров, или применяют покрытия, предохраняющие материал каналов от коррозии. [12]
 |
Структура рабочей части полевого транзистора. [13] |
При этом пренебрегают величиной объемных сопротивлений кристалла полупроводника на участках между концами и контактами истока и стока, а также зависимостью удельной проводимости материала канала от напряженности электрического поля. [14]
Основные дестабилизирующие факторы: 1) изменение контактной разности потенциалов р - n - перехода затвор - канал ( для полевых транзисторов с р - - переходом), это напряжение уменьшается приблизительно на 2 мВ / 1 С с ростом температуры и, таким образом, способствует увеличению тока стока; 2) изменение собственной проводимости материала канала, определяемой различной подвижностью носителей; подвижность с ростом температуры падает, что вызывает уменьшение тока стока. Действия этих двух основных факторов, таким образом, противоположны и частично компенсируют друг друга, стабилизируя в конечном счете режим усилительного каскада на полевом транзисторе. [15]
Страницы: 1 2 3