Cтраница 2
При этом открываются заданные места поверхности подложки. Затем снимают фоторезист, и на подложку с контактной маской наносят слой материала тонкопленочното элемента. Если теперь на получившуюся заготовку воздействовать травителем или растворителем для материала маски, то маска, удаляясь с подложки, увлекает с собою и лежащие на ней участки слоя материала тонкопленочного элемента, который остается только на тех местах, где он был нанесен непосредственно на поверхность подложки. Поэтому косвенный вариант довольно сложен и трудоемок и пользуются им при невозможности применения других способов из-за жестких условий нанесения материала тонкой пленки. [16]
Для изготовления маски для напыления необходимо из целой заготовки - пластины точно и селективно образовать отдельные участки, соответствующие в целом заданному рисунку. При выборе материала руководствуются желанием изготовить маску, которая сохранила бы свои геометрические размеры и плоскостность как можно дольше, даже при повышенных температурах осаждения пленки. При этом материал маски должен иметь достаточную для механической обработки прочность. Чаще всего используются металлы, сплавы, имеющие низкий коэффициент термического расширения, прочность которых позволяет подвергать их механической обработке. Графит тоже хорошо выдерживает механическую обработку и хорошо сохраняет геометрические размеры. Однако из него можно изготавливать только довольно грубые формы масок, поскольку для создания сложного рисунка в заготовке он слишком хрупок. Другим подходящим материалом, с точки зрения прочности, коэффициента термического расширения и плоскостности Является стекло. Вообще стекло с трудом поддается механической обработке и только стекла определенных составов, применяемые для изготовления масок поддаются фотохимической обработке. [17]
Образование скоплений напыляемого вещества на масках, толщина которых сравнима с размерами самых малых отверстий, приводит к уменьшению точности последовательно напыленных пленочных рисунков. Поэтому такие скопления периодически необходимо удалять. Для большинства металлов имеются избирательные травители, которые не взаимодействуют с материалом маски. Однако некоторые инертные материалы, такие как моноокись кремния или полимерные пленки растворяются только в очень агрессивных, широко применяемых реактивах. В таких случаях очистку масок можно обеспечить, предварительно создав покрытие из легко растворимого вещества, например, напыление пленки какого-нибудь металла. Образовавшиеся при последующих операциях напыления скопления инертных материалов можно затем удалить, воздействуя на подслой предварительно нанесенного вещества до тех пор, пока слой инертного материала не будет иметь сцепления с маской. [18]
При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незащищенных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами: гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности ( материал маски не должен разрушаться в электролите); напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской ( материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении); незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением ( материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [19]
При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незащищенных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами: гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности ( материал маски не должен разрушаться в электролите); напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской ( материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении); незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением ( материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [20]
При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незащищенных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами: гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности ( материал маски не должен разрушаться в электролите); напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской ( материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении); незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением ( материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [21]
Как отмечалось ранее, наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске. Наличие зазора между подложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образованию зоны размытости рисунка. Причем размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля ее вырезов. С уменьшением же толщины снижается жесткость маски и увеличивается ее провисание под подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости. Кроме того, вследствие неодинаковости коэффициентов линейного расширения материалов маски и подложки в процессе осаждения происходит разогрев и взаимное смещение маски и подложки. Все эти факторы ограничивают применение метода свободной маски областью получения простых по конфигурации элементов микросхемы, требования к точности параметров которых невысоки. [22]
Материалы этой гпуппы наносятся на выполненные паяные соединения после их тщательной промывки и удаления флюса. Назначением покрытия является сохранение чистоты поверхности после пайки, в особенности в электронных и электротехнических узлах. Химически чистую поверхность паяного узла, полученную после удаления флюса, необходимо защитить от последующих воздействий. Прикосновение потных рук, контакт с запыленной средой, в которой работают бытовые или производственные приборы - все это может повлиять на качество большинства печатных схем. Опасность указанных факторов рассматривается в разделах 4.9 и 8.6. Материалы покрытия паяных соединений отличаются от материалов масок тем, что первые благодаря подбору компонентов допускают пайку без удаления покрытия с проводников. Это обстоятельство весьма ценно с точки зрения возможности ремонтной пайки. Защитные покрытия также служат барьером для влаги, и ее конденсация не может повлиять на надежность соединения. В этом отношении они аналогичны лакам, наносимым на электролитически осажденные декоративные покрытия. [23]