Материал - контактная маска
Cтраница 1
Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать процесс нанесения тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя с осаждаемым материалом, обладать малым коэффициентом диффузии, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. [1]
Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать условия нанесения материала тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя химически с этим материалом, обладать малым коэффициентом диффузия, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Далее обработкой полученной заготовки в растворителе для фоторезиста удаляют участки материалов тонкой пленки, лежащих на слое фоторезиста. [2]
В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Сущность первого ( прямой вариант) состоит в том, что на чистую подложку наносят слой фоторезиста, экспонируют и проявляют его, а на полученное рельефное изображение наносят сплошной слой материала тонкопленочного элемента. [3]
 |
Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( прямой вариант.| Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( косвенный вариант. [4] |
ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [5]
Второй ( косвенный) вариант заключается в том, что на подложку для микросхемы наносят сплошной слой материала контактной маски и с помощью обычного фотолитографического процесса получают требуемую конфигурацию маски. Далее удаляют фоторезист и на подложку с контактной маской наносят слой материала тонкопленочного элемента. При последующей обработке в травителе, селективном по отношению к максирую-щему материалу, последний вытравливается, и материал тонкопленочного элемента, лежащий над ним, отрывается от подложки. [6]
 |
Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( прямой вариант.| Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( косвенный вариант. [7] |
ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [8]
 |
Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( прямой вариант.| Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( косвенный вариант. [9] |
ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [10]
Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать условия нанесения материала тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя химически с этим материалом, обладать малым коэффициентом диффузия, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Далее обработкой полученной заготовки в растворителе для фоторезиста удаляют участки материалов тонкой пленки, лежащих на слое фоторезиста. [11]
 |
Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью фоторезистивной маски.| Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью металлической маски. [12] |
Следующий этап - напыление пленки требуемого материала 3, который осаждается на открытые части подложки и маску. При опускании подложки в состав с травителем материал контактной маски растворяется и одновременно удаляется нанесенная на нем пленка напыляемого материала микросхемы. Поскольку для растворения материала контактной маски требуются слабые травители, то подложка не разрушается. Этот метод дает четкие и резкие края рисунка 4 схемы вследствие отсутствия зазора между маской и подложкой. [13]
 |
Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью фоторезистивной маски.| Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью металлической маски. [14] |
Следующий этап - напыление пленки требуемого материала 3, который осаждается на открытые части подложки и маску. При опускании подложки в состав с травителем материал контактной маски растворяется и одновременно удаляется нанесенная на нем пленка напыляемого материала микросхемы. Поскольку для растворения материала контактной маски требуются слабые травители, то подложка не разрушается. Этот метод дает четкие и резкие края рисунка 4 схемы вследствие отсутствия зазора между маской и подложкой. [15]
Страницы: 1