Материал - преобразователь
Cтраница 3
Из этого уравнения, в частности, следует, что чем выше магни-тострикционная постоянная хГ материала преобразователя, тем более компактным и легким он может быть выполнен. [31]
Температурная погрешность тензопреобразователей обусловлена разностью температурных коэффициентов линейного расширения материала преобразователя и объекта измерения, а также ТКС материала преобразователя. [32]
Температурная погрешность тензорезисторов обусловлена разностью температурных коэффициентов линейного расширения материала преобразователя и объекта измерения, а также ТКС материала преобразователя. Например, для тензорезисторов из константановой проволоки температурная погрешность может достигать 10 % и выше при колебании температуры среды или детали на 10 С. [33]
В основу их принципа действия положены зависимости между входными механическими силами и выходными перемещениями или механическими напряжениями, определяющиеся упругими свойствами материала преобразователя. [34]
Статистический характер взаимодействия ионизирующего излучения с веществом проявляется дважды: при взаимодействии первичного излучения с веществом контролируемого объекта и при взаимодействии вторичного излучения с материалом преобразователя излучения в электрический сигнал. Чтобы снизить возникающую при этом статистическую погрешность, следует увеличить число квантов или частиц, воздействующих на преобразователь, для чего необходимо использовать источники излучения с большим радиационным выходом или увеличивать время регистрации излучения. [35]
Второй вид преобразования энергии ( магнитомеханический) сопровождается потерями при механических колебаниях в каждом элементе колебательной системы, складывающимися из потерь на внутреннее трение в материале преобразователя, потерь в элементах крепления и потерь, вызываемых неоптимальным согласованием с рабочей средой. [36]
К этой категории воздействий объекта, вызывающих необратимые изменения свойств ИПТ, относится действие нейтронных потоков в атомных реакторах, часто приводящее к преобразованиям химических элементов в материалах преобразователя. Учесть возникающие при этом погрешности температурных измерений, обусловленные изменением градуировочной характеристики преобразователя, трудно, и, во всяком случае, достоверность таких поправок невелика. Поэтому необходимо обращать особое внимание на защиту преобразователя от химического взаимодействия с объектом и от воздействия потока нейтронов. [37]
Естественно, что такой метод градуировки применим лишь в том случае, когда свойства преобразователей совершенно идентичны, а последнее, помимо технологических и конструктивных факторов, определяется также и воспроизводимостью свойств материала преобразователя. [38]
Интенсивность, снимаемая с поверхности ультразвуковых излучателей, ограничивается целым рядом факторов: например усталостной прочностью материала излучателя и нагревом излучателя вследствие электрических и механических потерь; кроме снижения прочности нагрев может уменьшить коэффициент электромеханической связи материала преобразователя. Искусственное охлаждение очень усложняет само устройство и его эксплуатацию, а своей цели достигает не всегда, так как пьезоэлектрические керамические материалы обладают небольшой теплопроводностью и плохо охлаждаются, особенно в толстых слоях. Наконец, при излучении ультразвука в жидкость возникает еще один ограничивающий фактор - кавитация, на образование которой расходуется значительная часть излучаемой энергии. [39]
 |
Погрешность измерения толщины в зависимости от радиуса кривизны. [40] |
Изменение температуры приводит к изменению скорости звука в ОК, что компенсируют подстройкой на скорость звука. Изменяется также скорость звука в материале преобразователя. Для исключения этой погрешности прибор должен обеспечивать измерение времени пробега импульса между поверхностями ОК и не включать в указанный интервал время пробега в призмах и других акустических задержках. [41]
Из предыдущих выражений видно, что чувствительность по напряжению магниторезистора в слабых полях ( при отсутствии подмагничивания) меньше, чем у преобразователя Холла, если fiBwl ( ka), и больше в ka / w раз в сильных - полях. При этом подразумевается, что [ 1 и RH материалов преобразователя Холла и магниторезистора одинаковы. [42]
Дано: мощность генератора Рг 0 25 кет; рабочая частота / - 19 кгц; материал преобразователя - никель; траноформатор стальной, ступенчатый, полуволновой, диаметр торца 8 мм. [43]
Сопротивление механических потерь обусловлено внутренним трением частиц материала при колебаниях. Сопротивление излучения определяется параметрами излучателя и пропорционально волновому сопротивлению среды; электрическая емкость - геометрическими размерами и диэлектрической проницаемостью е материала преобразователя. [44]
Время установления ЭДС Холла характеризуется временем релаксации т 8 / 7, где е - диэлектрическая проницаемость, 37 - удельная проводимость материала преобразователя. Холла частотно-независима при частотах до 101 Гц. Межэлектродные емкости у преобразователей Холла составляют единицы пикофарадов, поэтому их влияние сказывается при частотах порядка десятков и сотен мегагерц. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5