Материал - экран
Cтраница 4
Для каждого источника ионизирующего излучения, в зависимости от его энергии, должен выбираться материал экрана. Так, для тормозного излучения целесообразно использовать олово, вольфрам, свинец; для у-излучения - вольфрам, свинец. Толщина экрана должна быть равна максимальной длине пробега вторичных электронов в экране. Металлические экраны рекомендуется использовать с безэкранными радиографическими пленками типа РТ-1, РТ-3, РТ-4М, РТ-5, их применение практически не влияет на ухудшение разрешающей способности изображения на пленках. Эти экраны выполнены в виде свинцовой фольги толщиной от 0 05 до 0 5 мм, нанесенной на гибкую пластмассовую подложку. [46]
Подставку и нагреватель изготовляют из графита плотных марок МПГ-6, МПГ-8 и др. Выбор материала экранов зависит от характера атмосферы, в которой работает тепловой узел. В вакууме, где теплопередача происходит в основном излучением, экраны изготовляют из графита, иногда с прокладкой из графитового углеродного войлока или из полированных листов жаропрочного металла, например молибдена. При работе в газовой среде, особенно находящейся под высоким давлением, применяют экраны из графита или непрозрачного спеченного кварца. [47]
Очевидно, что точность таких измерений определяется той точностью, с которой известно уравнение состояния материала экрана. [48]
При проектировании экранов следует иметь в виду то обстоятельство, что с повышением частоты магнитная проницаемость материала экрана падает и степень экранирования уменьшается. В этом случае целесообразно выбрать для экрана материал с большой проводимостью. Экранирующее действие такого экрана обусловлено встречно направленным полем вихревых токов, возникающих в экране. [49]
Эффективность экранирования увеличивается при увеличении частоты переменного поля, толщины экрана и с уменьшением удельного сопротивления материала экрана. [50]
Сг - удельная теплоемкость материала экрана; 6i - толщина экрана; р; - плотность материала экрана; т - время нагрева. [51]
 |
Значения Q в формуле для потерь в экране при а / т. 0 1.| Значения Q в зависимости от а / А при - v0 / t 0 81. [52] |
При постоянстве геометрии зубцовой зоны системы ( а const, х const) и постоянстве свойств материала экрана ( у const, Л [ Л0) можно изменять глубину проникновения по первой гармонике А ] 2 / 2nf [ i0y), при увеличении частоты вращения муфты и числа пар полюсов растет частота /, а следовательно, уменьшается глубина проникновения. При этом растет отношение а / А, а следовательно, и потери в экране. [53]
 |
Относительное изменение индуктивности катушки при помещении ее в экран. [54] |
Эффективность экранирования увеличивается при увеличении частоты переменного поля, толщины экрана и с уменьшением удельного сопротивления материала экрана. [55]
Ток 4 в этом случае остается неопределенным по своему значению, но он проходит уже по материалу экрана от точки Ь к точке k, не оказывая никакого влияния на токораспределение между элементами, находящимися внутри экрана. Ток 1С при данной схеме только создает дополнительную нагрузку источника питания. Следует еще отметить, что при схеме рис. 9 - 10 6 направление тока 4 после емкости С3 становится уже определенным - он может проходить только через емкость С3, так как потенциалы точек k и d оказываются равными между собой. [56]
Страницы: 1 2 3 4