Полупроводниковый материал

Cтраница 3

Полупроводниковые материалы применяются для изготовления чувствительных слоев фоторезисторов в виде поликристаллов, беспримесных монокристаллов или монокристаллов с добавками легирующих примесей. [32]

Устройство фото-резистора. [33]

Полупроводниковые материалы применяются для изготовления чувствительных слоев фоторезисторов либо в виде поликристаллов, либо в виде беспримесных монокристаллов, либо в виде монокристаллов с добавками легирующих примесей. [34]

Полупроводниковые материалы, например германий и кремний, чувствительны к радиации. Нейтронное облучение в большой степени воздействует на кристаллическую решетку, вызывая ее нарушения, которые приводят к сокращению времени жизни неосновных носителей. Гамма-радиация производит большей частью поверхностные изменения. [35]

Полупроводниковые материалы, образующие р-п переходы, чрезвычайно широко используются в производстве электронных схем. Различные типы диодов образуются за счет изменений в концентрациях примесей, вносимых в полупроводниковые кристаллы, и размеров кристаллов. Существуют диоды, используемые в маломощных ( сигнальных) цепях, выпрямительные диоды, стабилитроны, стаби-сторы, варакторы и другие типы диодов. [36]

Плоскостная модель строения кристалла кремния. [37]

Полупроводниковые материалы разделяют на собственные и примесные. [38]

Парноэлектронные связи в кристалле полупроводникового материала ( а, механизм собственной, электронно-дырочной проводимости полупроводника ( б и энергетическая диаграмма перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости ( в. [39]

Полупроводниковые материалы представляют собой кристаллы, в которых атомы расюлагаются в определенном порядке, образуя кристаллическую решетку. Элементарные ячейки кристаллической решетки кремния и германия состоят из элементарных тетраэдров, в четырех вершинах и центре которых расположены атомы. Кремний и германий принадлежат к IV группе Периодической системы Д. И. Менделеева, и их атомы содержат соответственно 14 и 32 электрона, четыре из которых находятся на внешней валентной оболочке. [40]

Влияние содержания., птттия и ттл гЬич примесей на нек-рые свойства выми on 4. И др. физ. - Fe. а - зависимость предела те - хим. свойствами, К-рыми кучести о от концентрации С обладают многие Ч. в. углерода и азота при темп - pax ияттт, йттягппяпя rrvfin.| Влияние содержания примесей на нек-рые свойства А1. а - зависимость мнк - fso ротвердости ( Нц, определенной вдавливанием рокбнче-ской ( J и квадратней ( г алмазных пирамидок, от концентрации С примесей Си, Fe, Si и Mg. 6 - зависимость темп-ры ( начала ( 1 и конца ( 2 рекристаллизации от концентрации С примеси Си, в - то же для примеси Fe, г - то же для примеси Si. [41]

Полупроводниковые материалы по чистоте разделяют на классы А, В и С. Для веществ класса Л возможно прямое хим. определение содержания основного вещества и хим. определение содержания примесей. Определение примесей у веществ класса В требует применения физ. Класс С - это сверхчистые вещества, определение содержания примесей у к-рых требует применения спец. [42]

Полупроводниковый материал нужных св-в, как правило, - монокристалл, получают методом Чохралычшго ( вытягивание из жидкой фазы полупроводниковой моно-кристаллич. Ge и Si вводят элементы V или III групп. [43]

Полупроводниковые материалы) очень велика ( - 80 000), что приводит к настолько сильно выраженному Холла эффекту, что он может служить не только для измерения слабых магнитных полей, но и для создания усилителей электрич. [44]

Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. [45]

Страницы: 1 2 3 4