Cтраница 1
Перспективный материал с точкой плавления 1800 С представляет собой Фиберфрекс, состоящий из примерно равных частей глинозема н кремнезема с небольшими добавками окисей бора, циркония и пр. Само собой разумеется, что корпус фильтра и цемент, применяемый для уплотнения фильтра в корпусе, также должны быть жаропрочными. Эффективность фильтров из тонковолокнистой ваты из нержавеющей стали при очистке горячих отходящих газов мартеновских печей с кислородным дутьем от окислов железа составляет 95 - 99 % 45 - Металлокерамические фильтры из нержавеющей стали могут применяться до температур порядка 500 С, если допустимо высокое гидравлическое сопротивление. [1]
Перспективный материал с точкой плавления 1800 С представляет собой Фиберфрекс, состоящий из примерно равных частей глинозема и кремнезема с небольшими добавками окисей бора, циркония и пр. Само собой разумеется, что корпус фильтра и цемент, применяемый для уплотнения фильтра в корпусе, также должны быть жаропрочными. Металлокерамические фильтры из нержавеющей ст али могут применяться до температур порядка 500 С, если допустима высокое гидравлическое сопротивление. [2]
Перспективными материалами являются сверхпроводящие металлические стекла, которые получают быстрой закалкой из жидкого состояния. [3]
Перспективными материалами являются никель и титан. [4]
Перспективным материалом для борьбы с нефтяными загрязнениями является такой многотоннажный отход, как древесная кора. [5]
Перспективным материалом для футеровки зоны подсушки является каменное литье, изделия из которого имеют высокую прочность на истирание и небольшую теплопроводность. [6]
Перспективными материалами для создания излучателей также являются: наращиваемые на кремниевые подложки эпитаксиальные слои твердых растворов элементов IV группы, типа Sij GexC, Si yCy, Sn Ge, , для некоторых из которых реальны композиции, обладающие прямозонной структурой; квантоворазмерные композиции на основе кремния ( сверхрешетки с множественными квантовыми ямами в системе SiGe / Si); квантовые нити и квантовые точки, формируемые в кремниевой матрице на основе прямозонных полупроводников; кремниевые нанокристаллы. [7]
Перспективными материалами являются сверхпроводящие металлические стекла, которые получают быстрой закалкой из жидкого состояния. [8]
Перспективным материалом является также полисульфон, в цепочке молекулы которого между фениленовыми группами - С6Н4 - имеются группы трех типов: сульфоновые - SO2 -, способствующие повышению нагревостойкости материала, эфирные - О - и изо-пропилиденовые С - ( СН3) 2, уменьшающие жесткость материала. Изделия из полисульфона обладают стабильностью размеров и не склонны к текучести. [9]
Перспективными материалами для эксплуатации при температурах 3000 С и выше являются твердые растворы на основе карбидов тантала, гафния и циркония, температура плавления которых достигает 3900 - 4000 С. [10]
Перспективным материалом является сополимер тетрафторэти-лена с перфтор - ( ал кил виниловыми) эфирами ( ПФА), в котором сочетаются хорошие диэлектрические свойства, нагревостойкость и химическая стойкость ПТФЭ со способностью экструдироваться. [11]
Перспективным материалом для твердотельных лазеров является окись лантана, вещество химически стойкое, тугоплавкое и с хорошими оптическими свойствами. [12]
Зависимость коэффициента магнитострик-ции от напряженности поля для некоторых материалов. [13] |
Перспективными материалами являются сплавы на основе редкоземельных металлов, например сплав типа ТЬжОу. [14]
Перспективными материалами этой группы являются ортоферри-ты со значительной перпендикулярной анизотропией, например ( Sm, Tb) РеОз-пленки толщиной 0 1 мкм. В исходном состоянии вектор намагниченности по всей пленке расположен перпендикулярно ее поверхности. Нагрев материала выше точки переориентации ( Гн45 С) приводит к локальному развороту вектора намагниченности в плоскость пленки. После остывания под действием сильного поля анизотропии и небольшого поля записи этот вектор возвращается в исходное состояние, причем его направление на участке записи противоположно ориентации векторов намагниченности других участков пленки. [15]