Кристаллический материал

Cтраница 4

В случае кристаллических материалов наличие текстуры приводит к тому, что зерна в них ориентированы не хаотично, а располагаются так, что вдоль некоторых внешних направлений или плоскостей располагаются определенные кристаллографические направления или плоскости некоторого количества кристаллов, составляющих поликристалл. [46]

Коэффициент теплопроводности кристаллических материалов с повышением температуры понижается, а у аморфных - повышается. Поэтому у материалов с большим содержанием кристаллических компонентов коэффициент теплопроводности с повышением температуры понижается, как, например, у ряда огнеупоров. [47]

Для получения кристаллических материалов с высокой прочностью нужно выращивать монокристаллы без дефектов. [48]

Упругая деформация кристаллических материалов, наблюдаемая в них под воздействием внешних сил, является результатом искажения кристаллической решетки, в которой расположены атомы, ионы и молекулы этих материалов. Подобным же образом упругие изменения объема и формы аморфных тел или изменения объема жидкостей под давлением также представляют собой следствия изменения расстояний между молекулами. Если пренебречь упругими деформациями, которые при обычно применяемых давлениях-порядка не свыше нескольких сот или тысяч атмосфер - весьма малы по сравнению с возможными остаточными ( пластическими) деформациями, то для объяснения пластического течения твердых материалов можно ограничиться рассмотрением лишь остаточных изменений в относительном расположении элементов или атомов кристаллической решетки. [49]

При нагревании кристаллических материалов происходит плавление кристаллитов, требующее дополнительного времени, поэтому равновесная структура за время опыта, как правило, не достигается. Экспериментальные точки при нагревании еще больше смещаются вниз от истинной кривой, соответствующей равновесному состоянию структуры. При охлаждении, наоборот, экспериментальные точки располагаются выше истинной кривой. Таким образом, петля на графике значительно расширяется. [50]

Коэффициент теплопроводности кристаллических материалов с повышением температуры понижается, а у аморфных повышается. Поэтому у материалов с большим содержанием кристаллических компонентов коэффициент теплопроводности с повышением температуры понижается, как, например, у ряда огнеупорных материалов. [51]

При высушивании кристаллических материалов, разлагающихся под действием высоких температур ( например, сульфата аммония), температуры поступающих и уходящих газов должны быть значительно снижены, а при необходимости глубокой сушки таких продуктов сушку следует проводить в две ступени, применяя Во второй ступени теплоноситель пониженной температуры, либо использовать аппараты с локальными зонами фонтанирования. [52]

Связь между работой разрушения адгезионных соединений W металлов с элементами и свободной энергией границы раздела Е ( сплошные линии - границы разброса данных. [53]

При использовании кристаллического материала на свойства поверхности влияет межзеренная граница. Интенсивная сегрегация примесных атомов вблизи границы зерна также влияет на поверхностные свойства. Для металлов причиной сегрегации является снижение поверхностной энергии. По другим соображениям поверхностная сегрегация способствует снижению энергии деформации решетки. Как примесные атомы влияют на поверхностную энергию, видно на примере легирования железа фосфором. [54]

Приципиальное отличие кристаллических материалов от аморфных состоит в том, что в последних отсутствует пространственная периодическая решетка и, следовательно, трансляционная симметрия. Поэтому физические свойства, связанные с наличием трансляционной симметрии, должны стать существенно иными при переходе к аморфным материалам. [55]

Страницы: 1 2 3 4