Растворенный материал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Растворенный материал

Cтраница 3


Необходимо отметить, что эти растворы неустойчивы. Они напоминают необратимые коллоидные растворы или пересыщенные растворы кристаллоидов. Они полностью проходят через фильтровальную бумагу, сильно окрашены и могут сохраняться в течение нескольких недель, но иногда весь растворенный материал выпадает в осадок. Следы избытка олеиновой кислоты, несомненно, оказывают сильное пептизирующее действие.  [31]

Во время обработки карбонатизированных терригенных коллекторов с Ск 10 % используют кроме продавливающей жидкости еще и вытесняющую жидкость. Постепенное увеличение объема КР в пласте приводит к неравномерному растворению глинисто-карбонатного материала пласта в радиальном направлении. Формируется зона от стенки скважины вплоть до радиуса проникновения фронта активной кислоты, в которой С С0 и наблюдается полное удаление растворенного материала. За ней формируются еще две кольцевые зоны - узкая с С0 С 0 и широкая с С 0 вплоть до радиуса фронта проникновения нейтрализованного КР. Чтобы полностью использовать химическую активность кислоты в пласте и предупредить выход КР с начальной концентрацией в ствол скважины и на поверхность во время дренирования пласта, нужно закачать в него вытесняющую жидкость, объем которой равняется 30 - 50 % объема кислотного раствора.  [32]

Трубку энергично встряхивают до полного растгюрения твердого остатка, так как известно, что нерастворив-пшеся частички хинона часто разлагаются, инициируя раздоже-ше растворенного материала. Красный цвет раствора вскоре бледнеет и через 15 мин. Через час раствор охлаждают, встряхивают с норитом в течение 10 мин. Маслообразный остаток может некоторое время сохраняться без разложения как таковой или в эфирном растворе.  [33]

Классификация пустот карбонатных пород с различной детальностью проводилась многими исследователями - И.М. Губкиным, Г.И. Теодоро-вичем, А.И. Леворсеном, М.К. Калинко, Д.С. Соколовым, Г.А. Максимовичем, В.Н. Быковым и др. Авторы при этом использовали различные признаки: генетические, морфологические, структурные, время их образования и др. При этом часто не соблюдалась таксонометрическая иерархия категорий, что при практической работе приводило к неясности ряда понятий. В то же время известно, что понятие каверна характеризует не размер и форму пустот, а их генезис. Каверны и карстовые полости, различаясь между собой лишь размером, образуются при гидрохимическом растворении водами карбонатных или же других породе последующим выносом растворенного материала из породы.  [34]

Защита окружающей среды занимает важное место в операциях нефтепереработки вследствие требований соответствия и потребностей экономии, так как цены и себестоимость нефти растет. Нефтеперерабатывающие заводы производят многочисленные выбросы воздуха и воды, которые могут быть опасны для окружающей среды. Некоторые из них - загрязнители, находящиеся в исходной сырой нефти, в то время как другие - результат процессов и операций нефтепереработки. Сточные воды обычно содержат углеводороды, растворенные материалы, взвешенные твердые вещества, фенолы, аммиак, сульфиды, кислоты, щелочи и другие загрязнители. Также существует риск случайных утечек разнообразных воспламеняющихся и / или ядовитых химических веществ.  [35]

36 Схема установки для газофазной.| Схема установки для жидко-фазной эпитаксии полупроводников A. IIBV I - IV - растворы-расплавы различного состава. / - блок нагрева. 2 - реактор. 3 - корпус кассеты. 4 -. - пьедестал. 5 - подложка. 6 - раствор-расплав. 7 - тяга. [36]

Сущность эпитаксии в жидкой фазе заключается в создании насыщенного раствора синтезируемого материала в расплаве легкоплавкого компонента с последующим его осаждением на подложке. Процесс проводят в открытой системе в атмосфере очищенного водорода. После выдержки при температуре, определяемой видом фазовой диаграммы системы, и образования насыщенного раствора жидкую фазу приводят в контакт с подложкой. При медленном охлаждении возникает пересыщение раствора и происходит кристаллизация растворенного материала на подложке. Применение нескольких растворов-расплавов различного состава обеспечивает возможность создания многослойных структур с заранее заданными свойствами.  [37]

Метод обратного осмоса наиболее пригоден для обработки сточных вод от процессов промывки и отбеливания целлюлозы, вырабатываемой химическими способами: щелочным сульфатным ( крафт), кислым сульфитным, сульфитным способом варки целлюлозы с высоким выходом, а также нейтрально-сульфитным способом производства полуцеллюлозы. Возможности применения обратного осмоса для обработки менее ядовитых сточных вод от производства волокнистой массы физическими и физико-химическими способами подробно пока не изучены. Почти все целлюлозные заводы, построенные в последние годы, и многие заводы, сооруженные после 1955 г., оборудованы непрерывными или ступенчатыми противоточными системами промывки и фильтрования, предназначенными для концентрирования сточных вод после промывки и отбеливания целлюлозы. На более старых заводах необходимы громадные капиталовложения для осуществления концентрирования и уничтожения растворенных материалов, содержащихся в разбавленных стоках таких заводов. Можно ожидать, что со временем будут разработаны методы применения обратного осмоса для обработки всех сточных вод, образующихся в различных процессах на целлюлозных заводах; на старых заводах концентрирование сточных вод после промывки целлюлозы особенно необходимо, чтобы могли быть выполнены требования к качеству сточных вод, сбрасываемых в водоемы.  [38]

Такая картина получается, если скалывание кристалла выполняют на воздухе и непосредственно после этого производят декорирование. Впоследствии было показано, что поверхность кристалла очень чувствительна к парам воды, содержащимся в воздухе. При раскалывании в вакууме поверхность скола весьма гладкая, наблюдаются отдельные прямолинейные ступени скола, в большинстве случаев моноатомные. Затем в этих областях образуется поверхностный раствор, а при помещении кристалла в вакуум для декорирования растворенный материал рекристал-лизуется. При этом под действием поверхностного натяжения раствора происходит закругление ступеней.  [39]

Такая картина получается, если скалывание кристалла выполняют на воздухе и непосредственно после этого производят декорирование. Впоследствии было показано, что поверхность кристалла очень чувствительна к парам воды, содержащимся в воздухе. При раскалывании в вакууме поверхность скола весьма гладкая, наблюдаются отдельные прямолинейные ступени скола, в большинстве случаев моноатомные. Затем в этих областях образуется поверхностный раствор, а при помещении кристалла в вакуум для декорирования растворенный материал рекристал-лйзуется. При этом под действием поверхностного натяжения раствора происходит закругление ступеней.  [40]

Для объяснения образования цеолитов осадочного генезиса предложен следующий механизм. Вначале под действием воды происходит гидролиз вулканического стекла, сопровождающийся вымыванием натрия и калия. В результате щелочность водных растворов увеличивается и возрастает количество растворенного кремнезема. Частицы стекла, размер которых соответствует обломкам, встречающимся в осадочных породах, могли бы в таком случае полностью раствориться уже в течение 30 - 3000 лет. Следовательно, образование цеолитов, по всей вероятности, не связано с процессом раскристаллизации стекла, а происходит путем растворения стекла с поверхности и последующей перекристаллизации растворенного материала. Подобная схема близка к механизму предложенному для объяснения образования синтетических цеолитов из различных аморфных веществ ( гл.  [41]

По поводу первого результата необходимо заметить, что скорость роста оказывается пропорциональной доставке реагирующей газовой смеси. Таким образом, можно предположить, что рост не лимитируется пересыщением. Можно было бы также учитывать влияние на рост других возможных при росте факторов, таких как адсорбция, растворение молекул кристаллической поверхности, различие устойчивости кристаллографических направлений в построении решетки, однако они не позволяют простым образом объяснить разницу в энергиях активации вертикального и тангенциального роста. В то же время процесс роста на поверхности, близкой к 111, может существенно осложняться вкладом в скорость роста многих ориентационных составляющих. Но оказывается, что рассмотрение второго интересного результата ( если совпадение величин энергий активации не случайно, а связано с тем фактом, что оба процесса лимитируются скоростью миграции) делает картину достаточно ясной. Можно думать, что разница между энергией активации скорости роста в направлении ( 112) и таковой для поверхностей, близких к 111, обусловлена различием энергий активации встраивания в устойчивые места из-за различия последних. В величину энергии активации, разумеется, может в качестве составляющей входить также и энергия активации химических реакций. Однако тот факт [8], что облучение светом диффузионных образцов ускоряет рост кристалла только в местах облучения, можно интерпретировать лишь как активирование либо адсорбции растворенного материала, либо миграции адсорбированного вещества. Наряду с этим полное отличие явлений роста в процессах восстановления SiCU и диссоциации S1H4 также заставляет предположить, что другие причины, обусловливающие это отличие, практически маловероятны. Авторы предполагают сделать детальное сообщение на эту тему в дальнейшем.  [42]



Страницы:      1    2    3