Очень чистый материал

Cтраница 1

Очень чистые материалы обычно дороги, доступные их количества часто невелики. Это служит одной из причин, вызывающих необходимость иметь дело не только с ничтожными концентрациями примесей, но и с малыми количествами анализируемого образца. [1]

Если исследуется очень чистый материал, для которого не свойственны локальные эффекты, то внешний ток не прикладывается и используются обескислороженные растворы, тцк что je качестве катодной реакции может рассматриваться только выделение водорода. [2]

Для изготовления аккумуляторов следует применять очень чистые материалы. В особенности это относится к раствору, который не должен содержать соляной и азотной кислот, железа, марганца, меди и благородных металлов, так как указанные кислоты разрушают электроды, марганец и железо будут давать соединения, окисляющиеся и восстанавливающиеся при зарядке аккумулятора и его работе, а более благородные металлы будут осаждаться на свинце, им вытесняемые, и образовывать гальванические микроэлементы, разрушающие свинец и нарушающие правильность работы аккумулятора. [3]

При очень низких температурах в очень чистых материалах механизмы, с помощью которых свободные носители обмениваются энергией с решеткой и потому остаются в равновесии с ней, имеют гораздо меньшую эффективность, чем при высоких температурах. Поэтому при температурах жидкого гелия может установиться такое стационарное состояние, когда система свободных носителей будет обладать более высокой энергией, чем энергия, соответствующая температуре решетки Свободные носители характеризуются при этом некоторой эффективной температурой и носят название горячих носителей. Ниже предполагается, что обмен энергией между свободными носителями достаточен для того, чтобы описывать их состояние одной эффективной температурой, даже когда поглощение излучения изменяется экспоненциально с толщиной образца. [4]

Зонная очистка. [5]

Зонная очистка представляет собой метод получения очень чистых материалов путем перекристаллизации. [6]

В то время как этот механизм реализуется для очень чистых материалов, механизм с участием примесей также позволяет объяснить наблюдаемые факты в том случае, если все следы гидрофильного материала полностью удалены. [7]

Стрелками указаны абсциссы, соответствующие подвижности, наблюдаемой в очень чистых материалах. [8]

Существенной особенностью эпитаксиального роста из газовой фазы является возможность осаждения очень чистого материала на сильно легированных подложках. Это особенно важно для производства квантовых генераторов света. С другой стороны, для ряда приложений необходимы тонкие эпитаксиальные слои полупроводниковых соединений на высокоомных подложках. [9]

Постоянная времени конденсаторов различных типов.| Зависимость тока утечки от времени для алюминиевых электролитических конденсаторов на рабочее напряжение 450 в. [10]

Несмотря на то, что в настоящее время в производстве электролитических конденсаторов применяются очень чистые материалы и реактивы, сопротивление изоляции алюминиевых электролитических конденсаторов относительно низко и заметно уступает сопротивлению изоляции конденсаторов с другими диэлектриками. [11]

В перспективе основной упор в области сплавов для турбинных дисков будет сделан на получение очень чистых материалов и их применение для изготовления деталей с очень однородной микроструктурой, что позволит повысить временное сопротивление и малоцикловую усталость материала, а также его сопротивление росту трещин до максимально возможного значения. Проявилась тенденция, которая в будущем станет еще сильнее, к использованию все более узко специализированных технологических процессов очистки для получения как можно более чистых исходных материалов для последующего изготовления из них порошка. Этот и другие конкурирующие методы получения сплавов высокой чистоты, такие как электрошлаковый переплав ( ЭШП) и плазменно-дуговая плавка ( ПДП), получают все более широкое распространение из-за обеспечиваемых ими возможностей повышения чистоты суперсплавов и точного управления их химическим составом. [12]

Возможности первого способа довольно ограничены, так как бездефектную структуру можно получить лишь у очень чистых материалов и в очень малых объемах, исключающих возникновение и развитие дислокаций. В лабораторных условиях удается получить тончайшие ( толщиной 0 05 - 2 мк) нитевидные кристаллы длиной в несколько миллиметров ( так называемые у с ы), обладающие исключительной прочностью. Нитевидный кристалл железа имеет прочность на разрыв 1350 кГ1ммг, что примерно в 100 раз больше предела прочности обычного технического железа и в 10 раз больше прочности качественных легированных сталей. Вместе с тем, усы обладают весьма высокими упругими характеристиками. [13]

Казимир, де - Хааз и де - Клерк [59] выполнили эксперименты с образцом из не очень чистого материала. [14]

Схема заряда свинцового аккумулятора. [15]

Страницы: 1 2