Cтраница 1
Полупроводниковые и диэлектрические материалы сваривают горелками косвенного действия, в которых анодом является корпус сопла. [1]
Приведены основные сведения о проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалах. [2]
Интегральные схемы представляют собой электронные цепи, в которых функции отдельных элементов или их совокупностей выполняют области из проводящих, полупроводниковых и диэлектрических материалов. При этом активные элементы, резисторы, конденсаторы и соединительные проводники, как правило, создаются в едином технологическом цикле и не могут быть конструктивно отделены друг от друга. [3]
В книге обобщен опыт преподавания на кафедре кристаллографии Московского института стали и сплавов, готовящей инженеров, специализирующихся в области полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, редких и цветных металлов, физико-химических методов исследования материалов электронной техники. Мы старались в преподавании обращать особое внимание на технические применения кристаллов, на опыт, накопленный в заводских и исследовательских лабораториях при промышленном использовании кристаллов. [4]
Дальнейшие успехи в микроэлектронике, а также в опто -, крио -, магнитоэлектронике связаны с созданием и использованием новых полупроводниковых и диэлектрических материалов с повышенными эксплуатационными характеристиками. [5]
Интегральная схема ( ИС) - - это помещенная в единый герметизирующий корпус электронная цепь, в которой функции отдельных электронных элементов или их совокупностей выполняют области из проводящих, полупроводниковых и диэлектрических материалов. По-английски интегрейшен - это объединение в одно целое. [6]
Теория диэлектрического нагрева полупроводниковых и диэлектрических материалов разработана проф. В области теории электрических печей сопротивления и дуговых вакуумных печей ряд работ создан на кафедре электротермических установок Московского энергетического института, руководимой проф. [7]
Двухканальный ЛПМ Карелия стал основой для создания лабораторной автоматической лазерной технологической установки ( АЛТУ) Каравелла ( 1986 - 1987 гг.), предназначенной для прецизионной обработки материалов, используемых в производстве изделий электронной техники. На АЛТУ Каравелла продемонстрирована возможность прецизионной резки и сверления большой группы металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, многие из которых до этого момента практически не были включены в сферу лазерной микрообработки. Показано, что Каравелла позволяет на порядок сократить сроки изготовления малых и средних партий изделий электронной техники по сравнению с традиционными методами, включая и электроискровую обработку. [8]
Монокристаллические материалы используются обычно в тех областях техники, где необходимы не только уникальные значения свойств, которые может обеспечить лишь малодефектная структура монокристалла, но и уникальная однородность этих значений по объему изделия с учетом анизотропии. Основную массу монокристаллов различного химического состава потребляют микроэлектроника, оптоэлектроника, лазерная и атомная техника. Подавляющее большинство этих монокристаллов относится к полупроводниковым и диэлектрическим материалам. Монокристаллические металлы с высокой степенью чистоты до последнего времени практически не использовались в технике. Однако в настоящее время высокие технологии, например, получения металлических пленок, требуют, чтобы мишени для установок напыления были монокристаллически и. В противном случае скорость напыления резко меняется при испарении материала мишени на границе зерен, и качество получаемой пленки снижается. [9]
В технике применяют переменные токи различной частоты. Стандартной частотой тока в СССР и других европейских странах считается частота 50 гц. Для диэлектрического нагрева пластмасс, древесины, стекла, пищевых продуктов и других полупроводниковых и диэлектрических материалов применяют высокочастотные установки частотой 20 - 25 мгц. [10]
В технике применяют переменные токи различной частоты. Стандартной частотой тока в СССР и других европейских странах считается частота 50 гц. Для диэлектрического нагрева пластмасс, древесины, стекла, пищевых продуктов и других полупроводниковых и диэлектрических материалов применяют высокочастотные установки частотой 20 - 25 мгц. [11]
Рассматриваются условия роста из газовой фазы кристаллических пленок и кристаллов карбида кремния. Определены различные области условий осаждения и растворения фазовых комплексов; построены границы этих областей для температур из диапазона 900 - 1800 С. Разработана методика, которая может быть использована и для анализа других процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических материалов из газовой фазы. [12]