Лазерный материал

Cтраница 1

Примеры ватт-амперных характеристик непрерывных полосковых гетеролазеров. [1]

Жидкие лазерные материалы с ТН3 - ионами делятся на два класса: металлоорганические, или хелатные, и неорганические, или апротонные. [2]

Лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах. [3]

Исходным лазерным материалом являются кристаллы фторидов и хлоридов щелочных металлов, а также фториды кальция и стронция. Используются также кристаллы с примесью. Воздействие на кристаллы ионизирующих излучений ( у-квантов, электронов высоких энергий, рентгеновского и коротковолнового ультрафиолетового излучений) или прокалка кристаллов в парах щелочного металла приводит к возникновению точечных дефектов кристаллической решетки, локализующих на себе электроны или дырки. Стимулированное излучение возникает на электронно-колебательных переходах в таких образованиях. Схема генерации центров окраски аналогична схемам лазеров на красителе. [4]

Схема расщепления уровней ионов Nd3 в YVO4 при 300 К. [5]

Описание оптического лазерного материала на основе редкоземельных ортованадатов типа М ЖМ У04 ( где М3 Lu, Gd, Y; М Dy3 или Еи3; 0 0001 х 0 1) приведено в патенте [400], однако генерационные характеристики этих систем не сообщены. [6]

В жидких лазерных материалах может быть достигнута концентрация активных ионов того же порядка, что и в лазерных стеклах. Это позволяет получить большие энергии и мощности излучения с единицы объема активного вещества. В то же время сильная зависимость показателя преломления от температуры обусловливает значительные оптические неоднородности, возникающие при накачке активной среды, что приводит к ухудшению генерационных характеристик лазеров и увеличению расходимости лазерного пучка. Применение прокачки активной жидкости через лазерную кювету позволяет реализовать как периодический, так и непрерывный режим работы лазера. [7]

Показатель усиления лазерного материала нужен для любого расчета потенциальных возможностей как лазерного усилителя, так и генератора. Чтобы вычислить его чисто теоретически, нужно точно знать распределение поля лигандов, окружающих активный ион, и влияние поля на вероятность рассматриваемого перехода. [8]

В качестве лазерных материалов используются полупроводниковые соединения AniBv ( элементов 3 - й и 5 - й групп периодической системы), AnBVI ( элементов 2 - й и 6 - й групп), AIVBVI, а также бинарные соединения, например, элемента 5 - й группы со смесью двух элементов 3 - й группы. Длины волн излучения на этих материалах равны соответственно: 4 9; 1 53; 3 0; 0 82 - 0 9 и 0 9 мкм. [9]

Генерационные характеристики лазеров на хелатах редкоземельных элементов. [10]

Хелаты составляют класс лазерных материалов, в которых активными элементами являются трехвалентные ионы редких земель ( RE), связанные с органическими группами или лигандами. [11]

Генерационные характеристики лазеров на хелатах редкоземельных элементов. [12]

Хелаты составляют класс лазерных материалов, в которых активными элементами являются трехвалентные ионы редких земель ( RE), связанные с органическими группами нлн лигандамн. [13]

Схема устройства полупроводникового лазера ( а и распределение интенсивности излучения лазера в поперечном сечении ( б.| Диаграммы длин волн генерации, перекрываемые действующими лазерами. [14]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами ( кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р - и n - областях. [15]

Страницы: 1 2 3 4