Объемный материал
Cтраница 4
При вытягивании волокон появляется цепеобразное расположение структурных элементов, способствующее повышению прочнэсти и модуля упругости. При получении различных полимеров в виде волокон цепочечные структуры, расположенные в объемном материале беспоря-дочно, вытягиваются упорядочение параллельно оси волокна. [46]
Пленки, полученные обоими методами, имеют примерно одинаковую плотность, но она меньше плотности объемного материала. На плотность пленок влияет их толщина, с ее увеличением значение плотности пленок приближается к плотности объемного материала. Плотность пленок возрастает с ростом скорости осаждения, так как при этом структура пленок становится более крупнокристаллической. [47]
В легированных КЯ ( в которых некоторые из электронных или дырочных подзон уже населены) структуру подзон можно наблюдать с помощью инфракрасного ( межподзонного) поглощения и рамановской спектроскопии. Эти процессы поглощения используются для изготовления инфракрасных приемников, подобных тем, в которых используются носители, связанные на примесях, в объемных материалах. Дополнительное преимущество КЯ заключается в том, что спектральный диапазон работы приемника легко изменять, изменяя ширину ямы. [48]
Прежде всего, воздействие отдельных факторов на повышение экономической эффективности производства при использовании новой техники на нефтепродуктопроводном транспорте может быть выявлено на основе объемного материала фактических наблюдений и анализа статистических данных. При определении показателей для оценки экономической эффективности следует брать в расчет количественные значения измерителей с учетом условий, действующих в данный период. Применяемые при расчетах нормативы должны в полной мере отражать существующие затраты с индексированием стоимости производства и использования техники в условиях инфляции. [49]
Преимущество этого уравнения состоит в том, что если расстояние между ионами больше, чем радиус экранирования Томас-Ферми, то система ион электрон почти нейтральна и V близко к нулю. Поэтому, чтобы оценить изменения Et, за счет движения атомов, можно использовать следующее приближение: считать ЕЪ & постоянной ( энергию зонной структуры объемного материала) и использовать простую модель, чтобы увидеть, как меняется U. Чади действительно сумел объяснить наблюдаемые атомные смещения с помощью только двух-параметрической модели для описания U. Его расчет поверхностных структур не является самосогласованным ( см. главу 4), но его вполне достаточно, чтобы объяснить многие аспекты предсказания кристаллографии, не обращаясь к сложным, полностью самосогласованным расчетам энергии системы. [50]
Торнбалл [ Turnbull, 1950Ы развил теорию, которая постулирует существование микропор в каталитических частицах. Он высказал предположение, что если кристаллы однажды образовались в этих порах, они могут расплавиться снова лишь при температуре, более высокой чем температура плавления объемного материала. [51]
Первая категория включает материалы с уменьшенными разерами и размерностями в форме наночастиц, тонких проволок или тонких пленок, вмонтированных в материал. Вторая категория включает материалы, в которых наномикрост-руктура ограничена поверхностной нанообластью объемного материала. Это достигается путем химического осаждения из паровой фазы, ионной имплантацией, обработкой лазерным лучом и другими воздействиями. Такие обработки позволяют изменять химический состав и атомную структуру поверхностей твердого тела на нанометровом масштабе. Третья категория включает НСМ, в которых химический состав, атомный порядок и размер строительных блоков ( например, кристаллы или атомные и молекулярные группы), образуя твердое тело, различаются по шкале длины на несколько нанометров по всему объему. [52]
Этот метод успешно применялся к исследованию молекулярных адсорбатов на поверхности металлов. Если колебательный спектр известен, например из экспериментов по инфракрасному поглощению объемного материала, то дальше просто можно сравнить этот эталонный ИК-спектр с СПЭЭ-данными, полученными от адсорбата. Этот подход особенно полезен тогда, когда мы предполагаем, что изучаемые молекулы могут диссоциировать при адсорбции. Например, если молекула СО диссоциировала при адсорбции, то та колебательная мода, которая соответствует растягиванию молекулы СО вдоль своей оси, исчезнет. [54]
Фридман [77] показал, что пленки никеля, осажденные на каменную соль, находятся в состоянии сильного сжатия. Параметры решетки, измеренные нормально и параллельно поверхности подложки, составляли 3 546 и 3 500 А, для объемного материала эта величина равна 3 524 А. Подобные результаты наблюдались также Боури и др. [78] при выращивании Си2О на поверхности ( 110) Си. При измерениях с помощью рентгеновской дифракции этими авторами было показано, что напряжение в пленке Си2О изменяет ее структуру от кубической до орторомбической Наибольшие напряжения, наблюдаемые на поверхности раздела окисел - подложка, уменьшаются в зависимости от толщины пленки и практически отсутствуют на поверхности окисла. Напряжение здесь составляет 2 5 % по сравнению с 18 %, имеющимися в псевдоморфном слое. Коллинз и Хивенс [79] обнаружили, что решетка FeO деформирована по отношению с решетке Fe в плоскости осаждаемого слоя. Это дает сжатие в плоскости пленки от 5 до 6 % Доказательства деформации в пленках никеля и кобальта не получены. Ван дер Мерве [80, 81] теоретически показал, что состоянием с наименьшей энергией является состояние, при котором осажденная пленка имеет гомогенную продольную деформацию, так что разница в параметрах пленки и подложки уменьшается посравнениюс величинами, полученными для объемных кристаллов. Эти теоретические предположения находятся в соответствии с экспериментальными данными, рассмешенными ранее. [55]
Для измерения сопротивления пленок наиболее широко используется 4-зондовый метод. Подобно другим способам измерения толщины пленки, основанным на определении величины сопротивления, он требует, чтобы удельное сопротивление пленки было точно известно и не изменялось бы с толщиной пленки. Эги условия выполняются редко, так как удельное сопротивление пленки сильно зависит от условий напыления и часто отличается от удельного сопротивления объемного материала. Однако его преимущество состоит в том, что он является одним из немногочисленных неразрушающих простых методов, применяемых для измерения толщины проводящих пленок на непроводящих подложках. В некоторых случаях он может быть использован как технологический метод контроля при условии, что пленки не настолько тонкие, чтобы имели место необратимые изменения удельного сопротивления, связанные с выделениями второй фазы и островковым ростом ( см. гл. [56]
Поскольку тонкие металлические пленки применяют для изготовления резисторов, то для них важным параметром является температурный коэффициент сопротивления - ТКС. Этот параметр определяется для стабильных пленок, прошедших термообработку. Экспериментально установлено, что ТКС зависит от толщины пленки; для тонких пленок он меньше, чем для толстых, и у пленок он меньше, чем у тех же объемных материалов. У некоторых тонких пленок ТКС становится даже отрицательным. [57]
Физико-механические свойства материалов зависят в основном от свойств исходного сырья, из которого их изготовляют, и от технологии изготовления. По принципу фильтрования материалы делятся на поверхностные и объемные. Материалы поверхностного типа имеют тол-шину в несколько раз большую, чем размер фильтруемых частиц, и задерживают эти частицы в основном на своей поверхности. Объемные материалы имеют толщину на несколько порядков больше, чем размер фильтруемых частиц, которые оседают главным образом в глубине материала. [58]
Страницы: 1 2 3 4