Ферроэлектрический материал

Cтраница 1

Ферроэлектрические материалы характеризуются очень высокими значениями диэлектрической проницаемости, измерение [14, 172, 266, 267, 268] которых на сверхвысоких частотах представляет известные трудности. [1]

Ферроэлектрические материалы состава SrBi2Ta2O9 и SrBi2 ( Nb cTai jC) 2O9, известные как Y-1 материалы, рассмотрены в обзоре [141], содержащем 18 ссылок. Обзор посвящен применению этих материалов в технологии ферроэлектрических запоминающих устройств. [2]

Интересна для технологии ферроэлектрических материалов. [3]

Монофазный порошок и тонкие пленки современного ферроэлектрического материала SrBi2Ta2O9 приготовлены [190] с использованием органических форм предшественников в виде ксерогелей. Последние нагревали при температуре около 650 С и получали порошки с размером зерен около 0 1 мм, а при 600 С формировали тонкие пленки толщиной около 2 мм. Авторы пришли к выводу, что значительные различия в электронной структуре объемных и околоповерхностных областей отсутствуют, а ширина запрещенной зоны тонких пленок этого материала меньше, чем ранее предполагалось. [4]

Ферроэлектрические устройства строятся на зависимости диэлектрической проницаемости ферроэлектрических материалов от напряженности электрического поля. Эта зависимость имеет такой же вид, как и кривая намагничивания для ферромагнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса. [5]

Предпосылкой к исследованиям Гинзбургом флуктуации послужило стремление понять, почему в случае одних критических точек ( в сверхпроводниках, в некоторых ферромагнитных и ферроэлектрических материалах) экспериментально наблюдался конечный скачок теплоемкости, а для других - в дополнение к скачку еще и расходимость. Гинзбург утверждал, что наблюдаемое различие количественное, а не качественное. [6]

Принцип действия ферроэлектрических запоминающих устройств аналогичен принципу действия ферромагнитных устройств, только здесь вместо импульсов тока используются импульсы напряжения, электризующие соответствующие участки, находящиеся на пересечении полосок Xi и yt из ферроэлектрического материала. [7]

Однако хотя этот тип запоминающего устройства является достаточно заманчивым из-за своего небольшого объема, легкого способа реализации и простоты доступа, он требует еще существенных усовершенствований, в частности улучшения пря-моугольности петли гистерезиса ферроэлектрического материала, исключения влияния частоты повторения цифр и особенно влияния колебаний окружающей температуры. [8]

Хотя о необычных диэлектрических, пьезоэлектрических и электрооптических свойствах соли Рочелла ( КаКС4Н4Об - 4Н2О - тетрагидрата натрийкалийтартрата) сообщалось еще в 1894 г., интенсивно эти свойства не изучались вплоть до тридцатых-сороковых годов. Примерно в это время были обнаружены аномальные диэлектрические свойства титаната бария, и последний был отнесен к ферроэлектрическим материалам. Название ферроэлектричества было дано явлению диэлектрического гистерезиса, наблюдавшемуся в случае соли Рочелла, в связи с аналогией кривой гистерезиса, наблюдаемой при намагничивании железа. Хотя это название, основывающееся на некоторой аналогии с ферромагнетизмом, и неподходяще, оно все-таки более оправданно, чем термин сегнетоэлектричество ( связанный с открытием данного явления во время опытов с солями Рочелла или Сег-нета), предложенный ранее и все еще широко используемый в Европе. В течение последнего десятилетия было проведено много исследований структуры кристаллов известных ферроэлектрических веществ методами рентгеноструктурного анализа и дифракции нейтронов и открыты многие новые ферроэлектрики, в том числе и органические. Оказалось, что органические вещества гораздо чаще обладают ферроэлектрическими свойствами, чем можно было ожидать. Поскольку общие вопросы ферроэлектричества подробно рассматривались ранее [314, 329, 428] и обсуждаются Пепинским в одной из глав второго тома данной серии, здесь можно ограничиться исключительно термодинамическими аспектами проблемы. [9]

Схема полоскового полоснозапирающего фильтра с магнитной перестройкой. [10]

Однако указанные варианты в этой главе не рассматриваются, поскольку ко времени написания книги добротности имеющихся в распоряжении варакторных диодов и ферроэлектрических материалов еще были недостаточно высоки в диапазоне свч. Таким образом, использование их не позволяет ока получить вполне удовлетворительные способы электрической перестройки резонаторов свч фильтра. [11]

Схема полоскового полоснозапирающего фильтра с магнитной перестройкой. [12]

Однако указанные варианты в этой главе не рассматриваются, поскольку ко времени написания книги добротности имеющихся в распоряжении варактор ных диодов и ферроэлектрических материалов еще были недостаточно высоки в диапазоне свч. Таким образом, использование их не позволяет пока получить вполне удовлетворительные способы электрической перестройки резонаторов свч фильтра. [13]

Пьезоэлектрические и диэлектрические свойства керамики ( Pbo 98sBio oi) x x ( Nii / 4Zni / i2Nb2 / 3) x - ( ZrJTi J) i - xO3 подробно изучены в [207], а диэлектрические, фер-роэлектрические и пьезоэлектрические свойства твердых растворов состава Bi ( i xy2Na ( i I) / 2Tii xNbjrO3 изучены [208] с точки зрения новой группы не содержащей свинца пьезоэлектрической керамики. Диэлектрические, пьезоэлектрические, механические свойства и структура сложной керамики со структурой перовскита состава Bi ( Zno 5Zr0 5) O3 - PbTi3 были измерены в интервале температур 283 - 900 К с целью оценки перспектив его применения в качестве электроакустического и ферроэлектрического материала. [14]

Кристаллы, в которых механическое давление или деформация вызывают появление на поверхности электрического заряда, носят название пьезоэлектрических. Величина этого заряда пропорциональна приложенной силе и, если материал обладает упругими свойствами, пропорциональна также величине перемещения для деформации. Помимо пьезоэлектрических кристаллов существуют также некоторые ферроэлектрические материалы, проявляющие подобный эффект. Такие материалы также могут быть использованы в качестве электромеханических преобразователей. [15]

Страницы: 1 2