Cтраница 1
Диодные матрицы, состоящие из восьми изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для использования в коммутаторах тока и других импульсных схемах. [1]
Диодные матрицы, состоящие из шестнадцати кремниевых эпи-таксиально-планарных диодов. [2]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. [3]
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых планарных диодов каждая. [4]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. [5]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. [6]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиальпо-пла-нарных диодов с общим катодом. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. [7]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для работы в импульсных переключающих схемах с малым временем обратного восстановления. [8]
Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. [9]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. [10]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [11]
Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных диодов с общим катодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [12]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых диодов, изготовленных по ионной технологии. [13]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. [14]
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. [15]