Cтраница 1
Полученная матрица записывается в файл 10, причем в байты 73 - 76 заголовка матрицы TIT помещаются символы НОРМ - призцак нормированного массива. На этом выполнение программы заканчивается. [1]
Полученная матрица позволяет вычислять физические параметры транзистора, включенного по схеме с общей базой. При этом сопротивление ге определяется по формуле ( гл. [2]
Полученная матрица позволяет вычислять параметры транзистора, причем элементы матрицы могут быть определены путем измерений на низких частотах ( обычно до 1 кгц) по схеме с заземленным эмиттером. [3]
Полученная матрица может неточно совпадать с обратной за счет ошибок округления при расчетах для вычисления обратной матрицы. [4]
Полученная матрица удовлетворяет требованиям набора на АВМ. [5]
Полученная матрица Е Е всегда симметрична и ее порядок равен числу компонентов. [6]
Полученная матрица 1Кц ] [ см. (4.19) ] представляет матрацу жесткости конечного кольцевого оболочеч-ного элемента; вектор [ Pt ] определяет приведенные к торцам элемента внешние распределенные силы. [7]
Полученные матрицы характеризуют запасы по переменным и возможные их изменения с учетом взаимосвязи переменных и при определенном выборе характера управляющих воздействий. [8]
Эквивалентная схема замещения как непрерывная линейная модель ИРН-1. [9] |
Полученные матрицы согласно (17.1.12) и (17.1.13) входят в непрерывную линейную модель ( НЛМ) понижающего регулятора напряжения. [10]
Полученная матрица содержит полную информацию о связях между элементами и позволяет представлять эту информацию на компьютере. Заметим, что любая матрица, состоящая из нулей и единиц, является матрицей некоторого бинарного отношения. [11]
Полученная матрица является обратной к исходной матрице А. [12]
Полученная матрица имеет искомый ступенчатый вид. [13]
Полученная матрица совпадает с истинной матрицей диагностируемой цепи. [14]
Полученная матрица исчерпывающе описывает схему искомой размерной цепи. [15]