Транзисторная матрица
Cтраница 1
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных р-п - р переключающих сверхвысокочастотных транзисторов, предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. [1]
Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р - п переключательные. [2]
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных германиевых сплавно-диффузионных р-п - р переключающих сверхвысокочастотных транзисторов, Предназначены для применения в переключающих схемах. [3]
Масса транзисторной матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных транзисторных структуры. [4]
Для выбора одной из опросных шин используется транзисторная матрица, которая представляет собой набор транзисторных ключей. Каждый ключ открывается при совпадении трех сигналов: сигналов дешифраторов выборки по х, у и сигнала соответствующего модуля ПЗУ. Сигналы с выходных обмоток каждого сердечника поступают через усилители считывания в регистр. [5]
Вместо координатной матрицы в ЗУ 2D используются диодные или транзисторные матрицы. Для снижения уровня токов считывания и стабилизации нагрузки формирователей токов считывания в числовых линейках в каждом разряде используются два сердечника. [6]
Вместо координатной матрицы в ЗУ типа 2D используются также диодные или транзисторные матрицы. [7]
 |
Схема расположения составных частей микросхемы на различных сторонах подложки. [8] |
В качестве компонентов ГИС применяют диоды и диодные матрицы, полупроводниковые ИС, транзисторы, транзисторные матрицы и др. Компоненты могут иметь жесткие и гибкие выводы. [9]
Кремниевые полевые малошумящие эпитаксиально-планарные сдвоенные транзисторы КПС104А - КПС104Д с n - p - n - переходом и каналом n - типа используются в транзисторных полевых сборках ( транзисторных матрицах), предназначенных для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты с большим входным сопротивлением и в аппаратуре широкого применения. Транзисторные сборки заключены в металлический герметичный корпус, имеют гибкие проволочные выводы и сохраняют работоспособность при температуре окружающей среды от - 40 до 85 С и относительной влажности 98 % при температуре 40 С. [10]
ГЕ, работающий в режиме диодного стабилизатора), которое изменяется одинаково с входным напряжением покоя 2 ( / бэ усилителя. Такое слежение за диодным падением напряжения обеспечивается за счет того, что транзисторы Тд-ТР представляют собой монолитную транзисторную матрицу ( СА3046) и все находятся при одной температуре. Транзистор Г4 вместе с Т3 образуют инверсную каскодную схему, обеспечивающую необхо димые быстродействие и сдвиг уровня. Два каскада выходных повторителей, построенные на транзисторах с противоположной полярно-стью Тъ и Тй, чтобы компенсировать смещение 1 / бэ, завершают схему. [11]
К числу наиболее известных интерпретаций Р - задачи относятся ставшие классическими задачи о минимизации булевых функций в классе дизъюнктивных нормальных форм ( ДНФ) и о минимизации длины кода внутренних состояний асинхронного автомата. Проведенный в [10] анализ рассматриваемых в работе [21] оптимизационных задач проектирования дискретных устройств в базисе ПЛМ показал, что кроме упомянутых выше задач минимизации ДНФ булевых функций и минимизации длины кода внутренних состояний асинхронного автомата интерпретациями Р - задачи являются также разнообразные оптимизационные задачи, возникающие при синтезе одноярусных сетей из ПЛМ, минимизации секвенциальных автоматов, нахождении минимального дизъюнктивного базиса для заданного множества булевых векторов, построении проверяющего теста для транзисторной матрицы, реализующей систему элементарных конъюнкций, а также при построении диагностического теста для дизъюнктивной матричной схемы, если в ней возможны любые кратные неисправности типа исчезновения транзисторов. [12]
В целом ситуация с перспективой разработки аналогов телевизионных экранов представляется нам следующим образом. Эти экраны могут стать со временем достаточно дешевыми, для того чтобы их можно было широко использовать на операторских пультах. Более сложные и дорогие устройства, использующие комбинации жидкокристаллических и транзисторных матриц, могут обеспечить воспроизведение информации в реальном масштабе времени ( например, матрица № 6); необходимые для телевидения 500 - 600 строк могут быть получены уже в ближайшее время. Однако стоимость таких устройств может быть очень высока. [13]
Страницы: 1