Cтраница 2
С L только незначительная часть дырок будет исчезать вследствие рекомбинации в n - области. Большинство дырок, достигнув правого перехода, подхватывается полем перехода и выбрасывается в правую р-область. Так как скорость дрейфа зарядов в переходе во много раз превышает скорость их диффузионного распространения, следует предполжить, что на границе правого перехода ( х W) концентрация неосновных носителей равна нулю. Правильный ответ может дать только решение уравнения диффузии. [16]
ПОЛУЧИЛИ широкого распространения, хотя некоторые данные зарубежных работ прямо указывают на такую возможность. Так, глубины центра распределения заряда в полимерных пленках составляют от 0 8 до 5 мкм [ 3, с. Современные теоретические представления об инжекции также не могут дать ответа на вопрос о причинах сосредоточения инжектированного заряда на глубине 0 5 - 5 мкм, о причинах дрейфа заряда на это расстояние после его нанесения на поверхность. При этом предположении естественным образом объясняется отмеченное выше проникновение зарядов на глубину 0 5 - 5 мкм в полимерную пленку даже в том случае, когда исходной энергии заряженных частиц, попадающих на поверхность пленки, было явно недостаточно для такого проникновения. [17]