Дрейф - модулятор
Cтраница 2
Дрейф нулевого уровня операционного усилителя складывается из дрейфа модулятора и изменений нулевого уровня выходного напряжения, обусловленных непосредственной связью в высокочастотном канале и в усилителе постоянного тока. Дрейф модулятора обусловлен остаточным напряжением транзистора и переходным процессом при его запирании. Для снижения влияний остаточного напряжения в коллекторную цепь транзистора 7 вводятся отрицательные импульсы, компенсирующие остаточное напряжение. Остаточное напряжение при некотором токе базы имеет минимум и понижается с ростом температуры. На дрейф транзисторного модулятора большое влияние оказывает переходный процесс при запирании транзистора. Амплитуда переходного процесса зависит от величины приложенного к транзистору запирающего напряжения, типа транзистора, температуры и др. -, а длительность - от величины зарядной емкости эмиттерного перехода ( при инверсном включении транзистора) и величины полного сопротивления цепи между эмиттером и коллектором на частоте преобразования. Отдаваемый при запирании транзистором заряд сравнительно мало зависит от сопротивления внешней цепи. Эффект переходного процесса можно учесть, введя генератор тока, который за время всего закрытого состояния транзистора-модулятора создает дополнительное напряжение дрейфа. Ток этого генератора увеличивается с ростом частоты прерывания. Дрейф нуля, обусловленный нестабильностью высокочастотного канала и канала усилителя постоянного тока, ослабляется в число раз, равное коэффициенту усиления канала МДМ. [16]
Для транзистора типа П-103 влияние на дрейф модулятора переходного процесса, возникающего при отпирании транзистора, пренебрежимо мало. Зато большое влияние на дрейф модулятора имеет переходный процесс, возникающий при запирании транзистора. Амплитуда этого переходного процесса зависит от величины запирающего напряжения, приложенного к транзистору, температуры окружающей среды, материала транзистора и других факторов. [17]
 |
Зависимости. / о ( / б и Uaf ( T. [18] |
Заряд 7о, отдаваемый транзистором при его запирании во внешнюю цепь, сравнительно мало зависит от сопротивления этой цепи. Поэтому влияние переходного процесса при запирании транзистора на дрейф модулятора эквивалентно влиянию источника тока, действующего в течение всего закрытого состояния транзистора модулятора. [19]
Изменение остаточного напряжения является одним из источников дрейфа модулятора. Для транзисторов типа П103 влияние переходного процесса при отпирании триода на дрейф модулятора пренебрежимо мало. [20]
Однако транзисторный ключ является неидеальным прерывателем, так как в режиме отсечки через него течет ток, а в насыщенном состоянии на коллекторе транзистора имеется некоторое напряжение, отличное от нуля. К тому же это остаточное напряжение зависит от температуры и является основной причиной дрейфа модулятора. [21]
 |
Амплитудная характеристика ОУ на интегральной микросхеме К140УД8 по неинвертирующему входу.| Структурная схема УПТ с преобразованием спектра сигнала. [22] |
Напряжение и2 с выхода усилителя подается на демодулятор Д, который преобразует его в напряжение мвых, совпадающее по форме с напряжением ывх. Так как усилитель переменного напряжения не имеет дрейфа, его дрейф определяется только дрейфом модулятора. Дрейф демодулятора можно не принимать во внимание, поскольку на его вход подается сравнительно большое напряжение, порядка нескольких вольт. [23]
Принципиальное отличие этого типа усилителей от усилителей первого типа то, что сигнал постоянного напряжения на входе модулируется, превращается в переменное напряжение, усиливается и на выходе демодулируется. Основным преимуществом усилителей такого типа является то, что дрейф здесь определяется лишь дрейфом модулятора, а не накапливается от каскада к каскаду, как в первом случае. [24]
Принципиальное отличие усилителей, основанных на модуляции - усилении переменного напряжения - демодуляции от усилителей первого типа, состоит в том, что сигнал постоянного напряжения на входе модулируется, превращается в переменное напряжение, усиливается и на выходе демодулируется. Основным преимуществом усилителей такого типа является то, что дрейф здесь определяется лишь дрейфом модулятора, а не накапливается от каскада к каскаду, как в первом случае. [25]
Выбор модулятора определяется полосой пропускания усилителя, его входным сопротивлением, порогом чувствительности, конструктивными и технологическими соображениями. Дрейф ну - 4.21. Области применения молевого уровня усилителя МДМ дуляторов различных типов определяется дрейфом модулятора, поэтому выбор модулятора является наиболее ответственным этапом проектирования. [26]
 |
Компенсированный модулятор и его схема замещения по постоянному току. [27] |
Очевидно, что в случае модулятора по схеме рис. 6 - 5 ложный сигнал определяется разностью приращений емкостей в первом и во втором контурах, ложный выходной сигнал модулятора на рис. 6 - 6, а также определяется разностью приращений емкостей в первом и во втором контурах, но эти приращения, в свою очередь, равны разности приращений емкостей пар стабилитронов. Поскольку приращение емкостей пар стабилитронов с изменением температуры невелико, то применение метода компенсации дает возможность уменьшить дрейф модулятора. [28]
Для получения баланса при нуле приложенного сигнала постоянного тока емкости должны быть или равны, или прилагаемое к ним напряжение должно быть переменным. Для сохранения баланса при изменении температуры характеристики диодов должны быть одинаковыми. Дрейф модулятора по напряжению ограничивается балансом контактных потенциалов двух диодов. Так как температурный коэффициент контактного потенциала составляет приблизительно - 1 мв / град для материалов с большим количеством примесей, то с целью уменьшения дрейфа диоды следует тщательно отбирать. [29]
Однако транзисторный ключ является неидеальным прерывателем, так как в режиме отсечки через него течет ток, а в насыщенном состоянии на коллекторе транзистора имеется некоторое напряжение, отличное от нуля. К тому же это остаточное напряжение зависит от температуры и является основной причиной дрейфа модулятора. Дрейф модулятора сказывается особенно сильно, когда уровень входного сигнала сравним с уровнем остаточного напряжения. [30]
Страницы: 1 2