Cтраница 3
Дрейф выходного напряжения при компенсации уменьшается в 10 - 20 раз. На схеме рис. 6.12 6 применен двухзатворный полевой транзистор. Компенсация импульсных помех осуществляется по второму ( верхнему по схеме) затвору. При изменении температуры дрейф тока в нагрузке составляет 0 2 - 0 5 нА / град. [31]
Изменение обратного тока р-л-псрехода и других параметров приборов приводит к изменению электрических характеристик электронных схем, содержащих полупроводниковые приборы. Дрейф обратного тока зависит от состоянии поверхности и окружающей газовой среды. В вакууме порядка 10 - - 6 - 10 - 7 Па ни на германии, ни на кремнии дрейф не наблюдается независимо от величины обратного тока. При изменении поверхностного заряда приложенным внешним полем в случае образования канала обратный ток возрастает, но дрейф его не наблюдается. Только при очень больших значениях напряжения и нагреве полупроводника наблюдается дрейф тока, причем ток быстро нарастает, что заканчивается тепловым пробоем. [32]