Дрейф - нулевой уровень
Cтраница 1
Дрейф нулевого уровня каждого канала усилителя на любом поддиапазоне, кроме поддиапазона 0 02 мв, при температуре 20 5 С не превышает 5 % ширины рабочей части диаграммной бумаги в течение 12 ч непрерывной работы после двухчасового прогрева. [1]
 |
Схема диодного бесконтактного входного преобразователя.| Схема трнодного бесконтактного входного преобразователя.| Схема бесконтактного входного преобразователя о фотосонротивлением Дф. [2] |
Дрейф нулевого уровня связан с нестабильностью фото-эдс, которая возникает на концах сопротивления при его освещении. Недостатками схемы рис. 7 являются: необходимость в модулированном источнике света ( интенсивность и спектр к-рого должны согласовываться с хар-ками фотосоиротнвления) и трудность обеспечения малой фото-эдс. [3]
 |
Схема трподного бесконтактного входного преобразователя.| Схема бесконтактного входного преобразователя с фотосопротивлением Д. [4] |
Дрейф нулевого уровня связан с нестабильностью фото-эдс, которая возникает на концах сопротивления при его освещении. Недостатками схемы рис. 7 являются: необходимость в модулированном источнике света ( интенсивность и спектр к-рого должны согласовываться с хар-камп фотосопротивления) и трудность обеспечения малой фото-эдс. [5]
Дрейф нулевого уровня на выходе рассматриваемого усилителя в диапазоне температур от - 60 до 70 С составляет около 20 - 25 мв. Временной дрейф значительно ниже. [6]
Дрейф нулевого уровня в режиме масштабного усилителя, приведенный ко входу ( при &10), равен 30 мкв за 8 часов. [7]
Дрейф нулевого уровня операционного усилителя складывается из дрейфа модулятора и изменений нулевого уровня выходного напряжения, обусловленных непосредственной связью в высокочастотном канале и в усилителе постоянного тока. Дрейф модулятора обусловлен остаточным напряжением транзистора и переходным процессом при его запирании. Для снижения влияний остаточного напряжения в коллекторную цепь транзистора 7 вводятся отрицательные импульсы, компенсирующие остаточное напряжение. Остаточное напряжение при некотором токе базы имеет минимум и понижается с ростом температуры. На дрейф транзисторного модулятора большое влияние оказывает переходный процесс при запирании транзистора. Амплитуда переходного процесса зависит от величины приложенного к транзистору запирающего напряжения, типа транзистора, температуры и др. -, а длительность - от величины зарядной емкости эмиттерного перехода ( при инверсном включении транзистора) и величины полного сопротивления цепи между эмиттером и коллектором на частоте преобразования. Отдаваемый при запирании транзистором заряд сравнительно мало зависит от сопротивления внешней цепи. Эффект переходного процесса можно учесть, введя генератор тока, который за время всего закрытого состояния транзистора-модулятора создает дополнительное напряжение дрейфа. Ток этого генератора увеличивается с ростом частоты прерывания. Дрейф нуля, обусловленный нестабильностью высокочастотного канала и канала усилителя постоянного тока, ослабляется в число раз, равное коэффициенту усиления канала МДМ. [8]
 |
Мостовой компенсированный транзисторный модулятор со схемой подавления импульсной помехи. [9] |
В случае дрейфа нулевого уровня модулятора при изменении температуры окружающего воздуха мостовая схема весьма просто позволяет скомпенсировать этот дрейф применением элемента, параметры которого зависят от температуры в качестве одного из плеч моста. [10]
Количественно величина дрейфа нулевого уровня схем транзисторных модуляторов может быть определена по выражениям, приведенным в табл. 4 - 4 и 4 - 5, если значения U3KB и / экв вычислять не по абсолютным значениям остаточных напряжений и токов транзисторных ключей, а по их приращениям. [11]
Пересчитанный ко входу дрейф нулевого уровня за счет нестабильности параметров транзисторов Г13 - Т выходного каскада пренебрежимо мал и может не учитываться. [12]
Приведенный ко входу усилителя дрейф нулевого уровня не зависит от коэффициента усиления и эквивалентен ложному сигналу. Задача уменьшения дрейфа нуля особенно важна для многокаскадных усилителей постоянного тока на транзисторах вследствие большой зависимости параметров транзисторов от температуры. [13]
УДН определяется в основном дрейфом нулевого уровня и нестабильностью коэффициентов передачи по постоянному и переменному напряжениям широкополосного усилителя при недостаточно глубокой его отрицательной обратной связи. [14]
Рассмотрим погрешность, обусловленную дрейфом нулевого уровня решающего усилителя. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5