Cтраница 2
В них происходит ( с определенной степенью точности) компенсация температурного дрейфа напряжения базы транзисторов ПП2 и ПП2, что особенно важно при использовании иоп с малым температурным коэффициентом. [16]
Температурные свойства полевых транзисторов с р-п переходом определяются в основном температурным дрейфом напряжения отсечки, зависимым от дрейфа контактной разности потенциалов, dU0 / dTdpD / dT2 2 мВ / С и подвижностью основных носителей ц) 10 ( Г0 / 7) м, где ц0 - подвижность основных носителей при температуре 7, пй 2 6 для электронов и 2 3 для дырок. [18]
В них происходит частичная ( или полная при использовании парных транзисторов) компенсация температурного дрейфа напряжения базы транзисторов Г2 и 72 что особенно важно при использовании опорного напряжения с малым температурным коэффициентом. [19]
В компенсаторе, выполненном на А1, цепь R5R6VD2 обеспечивает отрицательный температурный дрейф выходного напряжения f / б, а цепь R2R3VD1 дает положительный температурный дрейф напряжения Ua. Таким образом, если температурный дрейф f / ст положителен, то цепь R2R3VD1 можно исключить из схемы. [20]
Для кремниевых транзисторов 1г может быть меньше 1 мка при температурах, достигающих 125 С. Температурный дрейф напряжения Fx может быть существенно снижен применением двух транзисторов, как показано на схеме фиг. Значения координат подобранных кремниевых транзисторов остаются в пределах 0 2мв и 0 2 мка в очень широком температурном диапазоне. [21]
![]() |
Блок-схемы усилителей с автоматической коррекцией дрейфа. [22] |
На рис. 6.42, в схему моста образуют два транзистора. Элементы схемы моста должны быть подобраны так, чтобы в моменты времени, когда транзисторы открыты, напряжение диагонали моста было равно нулю, а когда транзисторы закрыты, остаточный ток диагонали моста равен нулю. Однако это возможно сделать только для какой-либо одной температуры. С изменением температуры балансировка моста нарушается, что проявляется в виде температурного дрейфа напряжения на выходе модулятора. [23]