Рассмотренная диаграмма
Cтраница 4
Рассмотренные диаграммы изотермического распада переохлажденного аустенита справедливы только для углеродистых и низколегированных сталей, содержащих Со, Си, Ni. У этих сталей на изотермической диаграмме ( рис. 111 а и б) два минимума устойчивости переохлажденного аустенита, соответствующие перлитному ( диффузионному) и бейнитному ( промежуточному) превращениям. [46]
Все рассмотренные диаграммы позволяют сформулировать важное правило. Если примесь понижает температуру кристаллизации основного компонента, то она передвигается в том же направлении, что и зона, а если примесь повышает температуру кристаллизации, то она передвигается в противоположном направлении по отношению к движению зоны. [47]
Из рассмотренной диаграммы следует, что погашения работы коррозионных пар на поверхности металла и в районе дна преимущественно развившихся концентраторов напряжений недостаточно для прекращения развития трещин. Для прекращения коррозионного растрескивания необходимо заполяризовать металл до потенциала анодных участков в районе дна коррозионных трещин. [48]
Из рассмотренной диаграммы можно сделать вывод: во всех сплавах кристаллизация начинается при температуре ( в данном случае лежащей на линии АСВ), называемой ликвидусом. [49]
 |
Диаграмма состояния системы карбамид-карбамат аммония-аммиак. [50] |
Анализ рассмотренных диаграмм ( см. рис. 16 и 20) позволяет сделать вывод, что увеличение избытка аммиака при синтезе карбамида способствует расплавлению карбамата аммония и понижает температуру его плавления. [51]
Для рассмотренных диаграмм направленности горизонтального вибратора, расположенного над идеально проводящим экраном, характерно равенство максимумов Г / р ( 8) 2 ] 1 и наличие нулевых минимумов t / p ( 6) 0 ] в лепестках диаграммы. Здесь сказывается то, что вибратор и его зеркальное изображение порознь не обладают направленностью излучения и имеют равные токи. [52]
 |
Диаграмма состояний воды при высоких давлениях. [53] |
В рассмотренной диаграмме имеется семь тройных точек, отвечающих безвариантным системам. Каждой из них соответствуют определенные температура и давление. [54]
На рассмотренной диаграмме отмечаются условные напряжения путем деления соответствующей силы на начальную площадь поперечного сечения образца. Так как поперечное сечение уменьшается при возрастании нагрузки, то действительные напряжения в материале растут вплоть до его разрушения. [55]
На рассмотренных диаграммах составов ( рис. 19, 22 - 25, 27 - 29) представлены поля кристаллизации цеолитов, являющихся первичными фазами, непосредственно образующимися из щелочных силикаалюмогелей. [56]
На основании рассмотренной диаграммы работы составлена скелетная схема блока управления операциями. [57]
Для всех рассмотренных диаграмм переизлучения с увеличением угла ( ps от 0 до тг величина сечения рассеяния растет и достигает максимума при ( ps тг, так как лишь в этом случае все элементы рассеивающей поверхности, расположение которых удовлетворяет условиям (4.3.3), (4.3.4), вносят свой вклад в рассеянный сигнал. [58]
Страницы: 1 2 3 4