Cтраница 3
Схема объемной диаграммы СО2 и ее проекции на плоскости р - Т, p - V и V-T. [31] |
В повседневной работе полными диаграммами состояния обычно не пользуются, так как они громоздки и неудобны в обращении, а их изготовление весьма трудоемко. Всех этих недостатков лишены проекции полной диаграммы на одну из плоскостей, проходящих через оси координат. Плоские проекции могут быть выполнены очень точно, и работать с ними удобно. На рис. XII, 2 показаны плоские проекции диаграммы состояния СОо. Все три проекции в принципе равноценны, однако наиболее употребительными параметрами, определяющими условия существования системы, являются Т и р, так как они хорошо поддаются измерению и регулированию. [32]
В повседневной работе полными диаграммами состояния обычно не пользуются, так как они громоздки и неудобны в обращении, а их изготовление весьма трудоемко. Всех этих недостатков лишены проекции полной диаграммы на одну из плоскостей, проходящих через оси координат. Плоские проекции могут быть выполнены очень точно, и работать с ними удобно. Все три проекции в принципе равноценны, однако наиболее употребительными параметрами, определяющими условия существования системы, являются Т и р, так как они хорошо поддаются измерению и регулированию. Подобные плоские проекции сохраняют наиболее существенные стороны полной объемной диаграммы, а именно: 1) две оси, позволяющие откладывать произвольные значения двух переменных, которые можем считать назависимыми переменными; 2) проекции границ областей существования каждой из фаз, которые может образовать изучаемое вещество. [33]
Диаграмма состояния частной системы Si02 - А12О3 - ТЮ2 ( по Агамави и Уайту. [34] |
На рис. 251 дается полная диаграмма состояния системы А1203 - ТЮ2 - Si02 по данным Агамави и Уайта с дополнениями Галахова. А ] 203), носит реакционный характер, так как лежит вне поля фазового треугольника названных трех соединений. [35]
Для того чтобы получить полную диаграмму состояний твердое вещество - жидкость, включая горизонтали эвтектической кристаллизации или процессов превращения, необходимо проследить понижение температуры гомогенной жидкой фазы во времени, до полного ее затвердевания, и фиксировать замедления скорости охлаждения, обусловленные выделением теплоты кристаллизации при выпадении твердых фаз или реакциями превращения. Для этого дают гомогенному раствору по возможности медленно охлаждаться и через равные промежутки времени отмечают температуру. [36]
Для того чтобы получить полную диаграмму состояний твердое вещество - жидкость, включая горизонтали эвтектической кристаллизации или процессов превращения, необходимо проследить понижение температуры гомогенной жидкой фазы во времени, до полного ее затвердевания, и фиксировать замедления скорости охлаждения, обусловленные выделением теплоты кристаллизации при выпадении твердых фаз или реакциях превращения. Для этого дают гомогенному раствору по возможности медленно охлаждаться и через равные промежутки времени отмечают температуру. [37]
Таким образом, для построения полной диаграммы состояния необходимо располагать системой координат четырех измерений. В этих координатах диаграмма должна представлять собой совокупность поверхностей, расположенных некоторым образом в четырехмерном пространстве. Подобное построение невозможно, и это вынуждает прибегать к некоторым упрощениям, вернее, к использованию таких переменных, описывающих состояние системы, которые позволяют сделать необходимое упрощение. Вместо мольных долей можно рассматривать также содержание компонентов, выраженное в весовых процентах. [38]
Однако не всегда требуется строить полную диаграмму состояния. Если процессы изучаются при постоянном давлении ( например, процессы кристаллизации или испарения), то строят диаграмму в координатах температура - концентрация на плоскости, представляющей собой сечение фигуры, перпендикулярное оси давлений. При изучении давления насыщенного пара над растворами строят плоскостные диаграммы в координатах давление - концентрация при постоянной температуре. [39]
Однако не всегда требуется строить полную диаграмму состояния. Если процессы изучаются при постоянном давлении ( как, например, процессы кристаллизации или испарения), то строят диаграмму в координатах температура-концентрация на плоскости, представляющей собой сечение объемной фигуры, перпендикулярное оси давлений. [40]
Диаграмма состояния системы германий - никель.| Температурная зависимость предельной растворимости никеля в твердом германии. [41] |
На рис. 22 - 17 изображена достаточно полная диаграмма состояния системы германий - кобальт. [42]
Как мы видели, для построения полной диаграммы состояния системы с отрицательным числом степеней свободы п достаточно рассчитать 1 - п пучков, остальные нонвариантные точки и моновариантные линии диаграммы найдутся чисто геометрическими методами. Благодаря только что указанным закономерностям, при таком построении стабильность исходных пучков и расположение в них стабильных и метастабильных частей линий моновариантных равновесий предопределяют стабильность или метастабильность и всех других элементов диаграммы, так как на пересечении метастабильных частей линий равновесия находят метастабильные нонвариантные точки, через которые проводят метастабильные частиковых линий моновариантных равновесий. [43]
К параметрам состояния трехкомпонентной системы относятся температура, давление и концентрации двух компонентов, поэтому полная диаграмма состояния такой системы должна быть четырехмерной. В связи с этим трехкомпонентную систему рассматривают при Р const и строят трехмерную пространственную диаграмму в виде прямой трехгранной призмы, основанием которой служит равносторонний треугольник состава, a гго высоте откладывается температура. [44]
К параметрам состояния трехкомпонентной системы относятся температура, давление и концентрации двух компонентов, поэтому полная диаграмма состояния такой системы должна быть четырехмерной. В связи с этим трехкомпонентную систему рассматривают при Р const и строят трехмерную пространственную диаграмму в виде прямой трехгранной призмы, основанием которой служит равносторонний треугольник состава, а по высоте откладывается температура. [45]