Вакантные места

Cтраница 1

Вакантные места должны перемещаться из объемов, сильно упруго растянутых, в объемы, менее растянутые, или в объемы, упруго сжатые. [1]

Все вакантные места на поверхности энергетически равноценны. [2]

Модель атома Бора. [3]

На вакантные места переходят электроны с более отдаленных от ядра L, М и других оболочек. Переход электронов сопровождается возникновением вторичного рентгеновского излучения. [4]

Однако имеются другие вакантные места, например в центре большого куба ( рис. 154), являющегося также центром октаэдра, образованного шестью ионами, расположенными в центрах граней куба. Эта полость больше, чем тетраэдрическая, и при подходящем радиусе ионов может вместить сферу радиусом 1 6 А и даже больше, если допустимо некоторое искажение структуры. Хотя соединения включения этого вида неизвестны, имеется вероятность, что подобное соединение может быть случайно получено. [5]

Остаточные дырки или вакантные места в идеальной кристаллической структуре могут явиться причиной несовершенства кристаллов. [6]

Сюше [9] рассматривает вакантные места в дефектных структурах типа структуры сфалерита или вюрцита как атомы нулевой валентности. Ковалентная формула соединения AinBVI с алмазоподобной структурой при р3 - гиб-ридизации обоих атомов имеет вид А В1 1, а ковалентная формула дефектного соединения A Bj1 - ( П4 - А2) Вд4 где знак П4 - обозначает вакансию с наибольшим ковалент-ным индексом ( 4 -) и является структурной единицей формулы. Связь индия и теллура парноэлектронная; оба электрона, участвующие в связи, находятся в состоянии 5р3 - гибридизации. Эта формальная схема, согласно Палатнику [56], на примере Ga2Se3 становится очевидной, если принять во внимание следующее. В решетке соединения, например Ga2Se3, каждый атом Se тетраэдрически окружен тремя атомами Ga и одной вакансией. [7]

Сюше [9] рассматривает вакантные места в дефектных структурах типа структуры сфалерита или вюрцита как атомы нулевой валентности. Ковалентная формула соединения AniBVI с алмазоподобной структурой при зр3 - гиб-ридизации обоих атомов имеет вид А В14, а ковалентная формула дефектного соединения А В 1 - ( D4 - A I) Bg, где знак П - обозначает вакансию с наибольшим ковалент-ным индексом ( 4 -) и является структурной единицей формулы. Связь индия и теллура парноэлектронная; оба электрона, участвующие в связи, находятся в состоянии р3 - гибридизации. Эта формальная схема, согласно Палатнику [56], на примере Ga2Sea становится очевидной, если принять во внимание следующее. В решетке соединения, например Ga2Se3, каждый атом Se тетраэдрически окружен тремя атомами Ga и одной вакансией. [8]

С появляются еще и вакантные места в валентной зоне В ( дырки), на которые могут переходить другие электроны заполненной зоны. [9]

В этих соединениях имеются вакантные места, не занятые катионами. Такие свободные места играют в решетке роль положительных дырок. В целом структура электронейтральна. Таким образом, 5 % октаэдрических пустот остаются незанятыми, и их можно рассматривать как дырки с двумя единицами положительного заряда. Следовательно, ион Fe3 может вести себя в этой решетке как положительная дырка. Электроны, переходя от Fe2 к Fe3 или от Fe2 к положительным октаэдрическим дыркам, дают эффективный положительный ток обратного направления. [10]

Во многих организациях трудно сохранять вакантные места - они, как правило, сразу заполняются. В этом случае повышения индивидов происходят только при образовании вакансий за счет уходов из системы. [11]

Все узлы решетки предполагаются занятыми, вакантные места отсутствуют. [12]

Электроны беспрепятственно переходят в анод на вакантные места в его зоне проводимости, а дырки, притянутые к катоду, компенсируются электронами, переходящими из катода в заполненную зону кристалла. Для того чтобы определить квантовый выход фотопроводимости, нужно измерить количество поглощенных в образце фотонов и число возбужденных ими носителей гока, отношение которых равно квантовому выходу. Количество фото-ион можно вычислить, зная величину падающего и отраженного светового потока; число носителей можно найти, измеряя фототек или суммарный заряд носителей тока. При работе с непрерывным освещением возникают практические трудности из-за объемных зарядов, которые всегда появляются в кристалле при длительном освещении вследствие неодинаковой подвижности электронов и дырок. В крайнем случае из-за прилипания электронов или дырок к дефектам решетки один из видов носителей может полностью потерять подвижность. В этом случае в кристалле быстро накапливается положительный или отрицательный объемный заряд, изменяющий условия на контактах с электродами. [13]

В таких системах добавки могут заполнять вакантные места ъ решетке, образовывать твердые растворы ( замещения и внедрения) и новые химические соединения, изменяя энергетический спектр катализатора и электронные свойства его объема и поверхности. В ожисные катализаторы обычно вводят значительное количество добавок, поэтому этот класс катализаторов следует отнести к сильнолегированным. [14]

Все узлы решетки предполагаются занятыми, вакантные места отсутствуют. [15]

Страницы: 1 2 3 4