Cтраница 2
Анализ свидетельствует, что природа этого эффекта может быть связана с активизацией процессов возврата на границах зерен при деформации наноструктурных металлических материалов. Ускоренная диффузия, которая приводит к активизации процессов возврата на границах зерен, может быть ответственной за наблюдаемое отсутствие заметного упрочнения на стадии пластического течения при деформации наноструктурных металлов. С другой стороны, высокое значение предела текучести очевидно обусловлено трудностью генерации дислокаций на неравновесных границах зерен наноструктурных металлах. С этой точки зрения обнаруженное влияние кратковременного отжига при 473 К на резкое уменьшение предела текучести и появление деформационного упрочнения в наноструктурной Си можно прямо связать с облегчением зарождения дислокаций и уменьшением скорости возврата на границах зерен с более равновесной структурой. [16]
Анализ свидетельствует, что природа этого эффекта может быть связана с активизацией процессов возврата на границах зерен при деформации наноструктурных металлических материалов. Ускоренная диффузия, которая приводит к активизации процессов возврата на границах зерен, может быть ответственной за наблюдаемое отсутствие заметного упрочнения на стадии пластического течения при деформации наноструктурных металлов. С другой стороны, высокое значение предела текучести очевидно обусловлено трудностью генерации дислокаций на неравновесных границах зерен наноструктурных металлах. С этой точки зрения обнаруженное влияние кратковременного отжига при 473 К на резкое уменьшение предела текучести и появление деформационного упрочнения в наноструктурной Си можно прямо связать с облегчением зарождения дислокаций и уменьшением скорости возврата на границах зерен с более равновесной структурой. [17]
Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [18]
Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой, стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [19]
Структурная модель, базирующаяся на представлениях о неравновесных границах зерен и предложенная в работах [12, 207], может быть использована для объяснения и других свойств наноструктурных материалов, по крайней мере, в качественном аспекте. Увеличение объема материала, вызванное дефектами, должно приводить к уменьшению температуры Дебая и упругих модулей. Поскольку обменная энергия в магнитных материалах очень чувствительна к межатомным расстояниям, это может вызвать уменьшение температуры Кюри. Как уже указывалось ранее [83], случайные статические смещения атомов могут влиять на свойства аналогично увеличению температуры. Например, это может вызвать уменьшение энергии активации диффузии, экспериментально наблюдаемое во многих наноструктурных металлах [61, 218], что также может быть объяснено в рамках данных представлений. [20]
Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой, стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [21]
Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [22]