Метод - диффузия
Cтраница 1
Метод диффузии является одним из наиболее точных методов определения молекулярного веса, однако он очень трудоемок и сложен в аппаратурном оформлении. [1]
Метод диффузии позволяет получать сразу несколько р-п-переходов в одной пластине. В этом случае газовая среда должна содержать и до-норную Nn и акцепторную Np примеси. [2]
Метод диффузии из стекловидных слоев можно использовать также для получения приборов с малой толщиной базы, что особенно важно для высокочастотных транзисторов. [3]
 |
Диффузионный транзистор. [4] |
Метод диффузии позволяет получить транзисторы с наиболее узкой базой. Что касается эмиттерной области, то она всегда сильно легирована. Как будет показано ниже, это является существенным условием эффективности транзистора как усилителя. Базовая область всегда делается достаточно тонкой - меньше диффузионной длины, так как в противном случае большая часть инъектированных из эмиттера дырок вообще не достигла бы коллектора, а рекомбшшровала в базе. [5]
Метод диффузии является одним из наиболее точных методов определения молекулярного веса, однако он очень трудоемок и довольно сложен в аппардтурном оформлении. [6]
Метод диффузии с маскировкой, рассмотренный на ряде операций выше, позволяет получать и один р - n - переход, и два перехода с различной глубиной залегания, и сложные слоистые структуры. Режим ведения процесса диффузии при изготовлении сложных слоистых структур, а также необходимый газ и диффу-зант подбираются опытным путем. [8]
Метод диффузии очень хорошо подходит для производства мощных транзисторов, так как он позволяет вводить примеси на больших площадях - таким образом можно сформировать эмиттер и коллектор необходимых размеров, достаточных для прохождения относительно больших токов. [9]
Метод диффузии позволяет с большой точностью устанавливать расположение переходов, концентрацию и градиент концентрации примесей, а воспроизводимость и гибкость диффузионных процессов делают их весьма перспективными для массового производства. [10]
Метод диффузии для получения электронно-дырочного перехода используют следующим образом. На пластинку полупроводника наносят примесь, которая дает противоположный тип проводимости по сравнению с тем, которым обладает исходная пластинка, или помещают в газовую среду из этой примеси. Если исходным является германий р-типа, то берут донорную примесь: сурьму, фосфор или мышьяк, и производят нагрев при условиях, исключающих улетучивание значительной части примеси с поверхности. [11]
Метод диффузии позволяет довольно точно контролировать расположение р-тг-перехода в кристалле и концентрацию примесей. Этот метод обеспечивает высокую воспроизводимость и однородность параметров изготавливаемых переходов и является весьма перспективным для получения мощных диодов. [12]
Метод диффузии, если он применяется самостоятельно, пригоден для определения молекулярного веса только сферических частиц. Вместе с седи-ментационной константой скорость диффузии используется для определения молекулярного веса, а вместе с седиментационной константой и молекулярным весом - для определения размеров молекул. [13]
 |
Зависимость распределения концентрации примеси по объему полупроводниковой пластинки. [14] |
Метод диффузии с большим успехом используется как для изготовления транзисторных переходов, так и для изготовления диодов, особенно мощных. Получение переходов с большой площадью путем сплавления оказывается довольно сложным. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5