Метод - тройная диффузия
Cтраница 1
Метод тройной диффузии не позволяет получать транзисторы с высоким коэффициентом усиления, который зависит от эффективности инжекции перехода эмиттер-база. Тройная диффузия не дает возможности создавать большие градиенты концентрации примеси на этом переходе, так как в процессе изготовления транзистора необходимо выполнять условие NSa NS6 NSK Nn, где NS9, N 6, SK - поверхностные концентрации примеси при диффузии эмиттера, базы и коллектора; Na-концентрация примеси в подложке. [1]
Структуру данного - типа микросхем получают также методом тройной диффузии, однако используют подложку - типа. [2]
Теоретические результаты проверялись экспериментально на реальных р-п-р-п приборах, полученных методом тройной диффузии. [3]
На рис. 4 а показаны экспериментальные зависимости коэффициентов передачи а от тока для реального кремниевого р-п-р-п прибора, полученного методом тройной диффузии. Вольтамперная характеристика коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, приведена на рис. 4 6, из которого ясна методика определения усредненного сопротивления RK. [4]
По технологии изготовления транзисторы, изолированные р-п-переходом, делят на три типа: планерные с неравномерным распределением примесей в коллекторе, получаемые методом тройной диффузии, пленарные с равномерным распределением примесей в коллекторе, получаемые методом встречной изолирую щей-диффузий, и эпитаксиально-планарные, получаемые методам односторонней изолирующей диффузия в эпитаксиальный слой. Пла-нарно-эпитаксиальные транзисторы могут иметь как равномерное, так и неравномерное распределение примесей в коллекторе. [5]
При этом методе изоляции диффузия проводится во все области подложки, кроме областей, предназначенных для компонентов. Преимущество этого метода перед методом тройной диффузии заключается в том, что области, отведенные для компонентов, сохраняют однородное удельное сопротивление. При использовании эпитаксиальных пленок разделительная диффузия проводится сквозь весь эпнтаксиальный слой. [6]
Технология производства использует обычный метод тройной и односторонней диффузии для создания как р-п - р -, так и п-р - n - структур. Основанием служит четырехслойная кремниевая структура, созданная методом тройной диффузии. В качестве исходного материала используется кремний р-типа, в котором формируются коллекторы, базы и эмиттеры п-р-п-транзисторов. Одновременно с образованием коллекторов п-р-п-транзисторов формируются базовые области р-п-р-транзисторов с общими коллекторами, а также сопротивления и емкости, которые выполнены как электрически изолированные элементы. Кроме того, формируются соединительные проводящие каналы, используемые для соединения элементов в различных слоях. [7]
Недостатком эпитаксиальных транзисторов следует считать трудности получения однородных пленок на больших площадях. От этого недостатка свободен ламинарный транзистор, изготовленный методом тройной диффузии. Изготовление транзистора начинается получением из твердой фазы слоя п в исходном вы-сокоомном кремнии. Пластина подвергается предварительно осаждению пятиокиси фосфора на поверхность. Затем в печи в течение 50 ч проводится диффузия фосфора в кремнии. После диффузии область п сошлифовывают, оставляя тонкий слой - коллекторную область. Далее, на основе подготовленной пластины с коллектором начинается процесс изготовления планар-ного транзистора. [8]
 |
Молекулярный трехкаскадный усилитель постоянного тока.| Четырехслойная структура интегральной схемы. [9] |
Объем его составляет 1 3 - 10 3 см. при усилении порядка 60 дб. Основанием для интегральной схемы другой конструкции служит четырехслойная кремниевая структура ( рис. 11.12), созданная методом тройной диффузии. [10]
Страницы: 1