Метод - термическое испарение
Cтраница 3
 |
Электрическая схема вакуумного агрегата установки на. [31] |
Рассмотрим типовые участки схемы установки ва-куумного напыления, предназначенной для нанесения на поверхность стеклянной подложки металлических или полупроводниковых покрытий методом термического испарения Е вакууме. [32]
Сплавы РС-3710 и РС-3001 предназначены для изготовлелия резистивных химически стойких пленок и различного рода вспомогательных ( промежуточных) слоев методом термического испарения в вакууме. Им присвоен знак качества. [33]
Металлопленочнымирезисторами называют резисторы поверхностного типа, проводящим элементом которых является пленка ( толщиной 0 14 - 0 3 мкм) специальных сплавов или металлов, осажденная методом термического испарения в вакууме на изоляционное основание ( керамическую заготовку цилиндрической формы. [34]
Контактным способом можно поляризовать как пленку, не имеющую электродов, так и пленку с электродами из алюминия, золота или других металлов, нанесенных на пленку методом термического испарения металлов в вакууме. Электроды в виде слоя металла, нанесенные термическим испарением металла в вакууме с толщиной слоя не более 0 1 мкм, имеют преимущество перед прижимными электродами. Во-первых, устраняется воздушный зазор между поляризуемой пленкой и электродами и, во-вторых, эти электроды не закорачиваются при электрическом пробое пленки. Целесообразно, чтобы электроды имели участки для подсоединения выводов, под которыми нет противолежащего электрода. Геометрия электродов должна обеспечивать отсутствие краевых разрядов. [35]
Испарительные геттерные насосы относятся к сорб-ционным насосам, в которых, поглощение газов осуществляется за счет физической адсорбции, хемосорб-ции, химических реакций и растворения газов в пленке металлического геттера, создаваемой методом термического испарения. В качестве геттера в таких насосах может быть, вообще говоря, использован любой активный металл, применяемый для распыляемых геттеров в электровакуумных приборах; однако из условий эксплуатационного удобства в промышленных насосах применяется пока только титан. [36]
Сущность метода термического испарения состоит в нагреве веществ в специальных испарителях до температуры, при которой начинается заметный процесс испарения. [37]
Технология металлизации методом термического испарения металла включает следующие операции: нанесение лакового подслоя; металлизация в вакууме; нанесение защитного лакового покрытия. [38]
Для уменьшения сопротивления контакта обычно на кремний n - типа электропроводности наносят пленку из золота. Для этого используют метод термического испарения из молибденового тигля в вакууме с последующей термообработкой при 640 - 670 К или метод катодного распыления. [39]
Соединения элементов ИМС создаются металлизацией. На поверхность ИМС методом термического испарения в вакууме наносится слой алюминия толщиной около 1 мкм. После фотолитографии на поверхности ИМС остаются металлические соединения, соответствующие рисунку схемы. После фотолитографии металл обжигается в среде азота при температуре около 500 С. [40]
Из всех рассмотренных простейших элементов электронных схем наиболее трудно получить индуктивности требуемого номинала. Пленки индуктивности из меди или алюминия методом термического испарения в вакууме наносятся на стекло или керамику в виде спиралей или других линий для лучшего заполнения площади. Для получения необходимой добротности элемента необходимо увеличение толщины проводников, а следовательно, и времени осаждения. [41]
Для осуществления плазменного анодирования используется процесс окисления поверхности металлической пленки в плазме электрического разряда постоянного тока. Для этой цели между пленкой алюминия, полученной методом термического испарения в вакууме, и катодом создают постоянную разность потенциалов при давлении около 5 W-3 мм рт. ст. В результате между катодом и пленкой алюминия течет ток и поверхность алюминия окисляется, причем скорость образования слоя зависит от напряжения на электродах, и по мере нарастания слоя окисла ток постепенно уменьшается. После того как слой окиси алюминия достигнет нужной толщины, рабочий объем установки откачивается и на слой окиси алюминия путем термического испарения алюминия наносится вторая обкладка конденсатора. [42]
Установка УВН-2М-1 выполнена на основе базовой модели УВН-2М и предназначена для серийного производства многослойных пленочных микросхем и отработки технологического процесса их изготовления. Установка является высоковакуумной, многооперационной и позволяет наносить пленки методом термического испарения с помощью резистивных и электронных испарителей. [43]
Формирование на кремнии двухслойной омической контактной системы Ti - Аи производят методом термического испарения или катодного осаждения. [44]
 |
Электрофизические свойства оксидов II группы. [45] |
Страницы: 1 2 3 4