Метод - оптическая накачка
Cтраница 1
Метод оптической накачки используется в рубиновых лазерах. На рис. IV.95 показано устройство самого лазера. Из уровней I и II происходит переход на узкие метастабильные уровни / / / с временем существования порядка 5 - 10 - 3 с; эти переходы не сопровождаются излучением. [1]
Метод оптической накачки для газовых лазеров менее эффективен, чем для твердотельных. Во-первых, это связано с тем, что ширина полос поглощения у газов при рабочих давлениях в лазере определяется главным образом ( Ян 300 нм) доплеровским уширением и поэтому полосы весьма узки, в отличие от широких полос в твердотельных лазерах. [2]
 |
Зонная диаграмма и функция распределения частиц в вырожденном полупроводнике. [3] |
Метод оптической накачки полупроводниковых лазеров не получил практического применения, так как источниками сигнала накачки могут служить пока что только другие лазеры. [4]
Кроме методов оптической накачки, применяют также и рентгеновские методы возбуждения флуоресценции кристалла. [5]
 |
Схема энергетических уровней ионов хрома в кристаллической решетке АЬОз. [6] |
Возбуждение кристалла рубина осуществляется методом оптической накачки с помощью импульсных источников света большой мощности. [7]
 |
Энергетическая схема трех - и четырехуровневых оптических квантовых генераторов.| Схема энергетических уровней ионов хрома в рубине. [8] |
В лазерах на твердом теле применяется метод оптической накачки. [9]
Если активная среда - твердое тело, применяется метод оптической накачки. [10]
 |
Системы накачки лазера. [11] |
Инверсная заселенность создается между уровнями Е и Е2 методом оптической накачки. Важно, чтобы основная масса энергии, излучаемой источником накачки, попадала в полосы поглощения активного вещества и эффективно использовалась для создания инверсной заселенности в системе рабочих уровней. [12]
 |
Принцип работы атомного водородного генератора. [13] |
В основе принципа действия квантового генератора с оптической накачкой лежит так называемый метод оптической накачки. [14]
В случае, когда активной средой служит полупроводник, для получения состояния с инверсной заселенностью могут быть использованы [2010]: метод оптической накачки; возбуждение полупроводника пучком быстрых электронов, инъекция электронов и дырок через р - п-переход. [15]
Страницы: 1 2