Метод - ионная бомбардировка
Cтраница 1
Метод ионной бомбардировки находится в стадии разработки. Недостатки метода: значительный разогрев исследуемой пробы, отсюда ухудшение вакуума в системе, что приводит к искажению получаемых данных. [1]
Метод ионной бомбардировки в одинаковой степени пригоден и для монокристаллов, и для поликристаллических поверхностей. Бомбардировка положительными ионами аргона удаляет загрязнения из приповерхностного слоя толщиной до нескольких сотен атомных слоев в зависимости от времени и интенсивности обработки, но при этом все же остаются захваченные поверхностью положительные ионы. Кроме того, поверхность содержит некоторое количество дефектов, образовавшихся в результате смещения атомов металла из их равновесных положений в решетке. Поэтому для освобождения от дефектов решетки и от захваченного аргона необходим отжиг при повышенной температуре. Истинное состояние поверхности определяют методом дифракции медленных электронов. Однако вполне справедливо отмечено [37], что воспроизводимые дифракционные максимумы, получаемые после ионной бомбардировки и отжига, ие обязательно доказывают чистоту поверхности, даже если они и соответствуют дифракционным максимумам поверхностной решетки металла; упорядочение загрязненная поверхность также может дать воспроизводимую картину, которую можно принять за результат ориентированной поверхности. [2]
Метод ионной бомбардировки отличается тем, что его применение не требует разрушения пробы. Метод позволяет определить почти все элементы за один прием и очень подходит для исследований поверхности, так как температура пробы во время анализа заметно не повышается. Однако точность анализа плохая. [3]
 |
Изготовление тонкопленочных элементов методом термовакуумного напыления через отделяемую маску.| Трехэлектродная установка катодного распыления. [4] |
Метод ионной бомбардировки позволяет получить пленки самых различных материалов: проводников, полупроводников, диэлектриков, тугоплавких металлов и многокомпонентных материалов. Этим методом можно также получать пленки, являющиеся соединениями распыляемого материала - с введенными под колпак газами. Эта разновидность метода катодного распыления называется реактивным катодным распылением. [5]
 |
Модель сингулярной ( а и вицинальной ( б поверхностей. [6] |
Метод ионной бомбардировки заключается в обработке поверхности ионным пучком инертного газа с энергией ионов в несколько сотен4 электрон-вольт. При такой обработке удаляются все поверхностные примеси и несколько верхних слоев решетки исходного вещества. Для отжига возникающих при бомбардировке дефектов и удаления атомов инертного газа производят последующий высокотемпературный нагрев образца. Это приводит в ряде случаев к таким же осложнениям, что и первый метод. [7]
Преимущество метода ионной бомбардировки заключается в том, что проба при этом мало нагревается. [8]
Полупроводниковые алмазы, полученные методом ионной бомбардировки / / ФТТ. [9]
Если условия выбраны правильно, метод ионной бомбардировки дает чистую поверхность, содержащую только захваченные атомы инертного газа. Эти атомы и дефекты решетки, образующиеся при бомбардировке, в большинстве случаев удаляются при отжиге в подходящих условиях. Продолжительность отжига зависит от того, в каких опытах используется кристалл. Например, время жизни неосновных носителей тока в кристалле полупроводника значительно более чувствительно к малой концентрации дефектов, чем работа выхода, и требует, следовательно, более тщательного прокаливания кристалла. Известно, что постоянные дефекты могут образовываться и при бомбардировке, но здесь, вероятно, большое значение имеют геометрические размеры и форма кристаллов. В очень мелких кристаллах образуется больше дефектов, чем в кристаллах, имеющих размеры порядка миллиметра. Имеются некоторые указания на то, что большие атомы таких инертных газов, как криптон и ксенон, образуют в аналогичных условиях меньше дефектов, чем такие легкие атомы, как неон. [10]
 |
Схема сепарации путем ионной бомбардировки. [11] |
Известны два типа аппаратов для разделения методом ионной бомбардировки - с пластинами и с ротором. Пластинчатый сепаратор ( более прочный) содержит только две вертикальных пластины с хорошо закругленными, краями для предотвращения разряда короны. Эти пластины подвешены относительно близко одна к другой и находятся под высоким напряжением, причем либо обе пластины заземлены, либо одна заряжена положительно, а другая отрицательно. Для собирания различных продуктов внизу служат желоба, а питание подается сверху. Этот аппарат особенно пригоден для отделения друг от друга двух непроводников после заряда их путем контактной электризации. Несмотря на простоту оборудования про-цесс зарядки частиц обычно довольно сложен. Основная задача при использовании сепараторов с пластинами заключается в отыскании наиболее эффективного метода предварительной обработки материалов, подлежащих разделению, чтобы облегчить и усилить их электризацию. [12]
Поверхностный источник может быть получен также методом ионной бомбардировки кремния в тлеющем разряде с одновременным его легированием бором или фосфором. [13]
О возможности получения тонких слоев полупроводниковых соединений методом ионной бомбардировки. [14]
Установлено, что при облучении формирование пленки идет гораздо быстрее. Метод ионной бомбардировки позволяет получать сплошные эпитаксиальные пленки сульфида свинца 100А - 200А, что важно для создания многослойных полупроводниковых структур. [15]
Страницы: 1 2