Метод - бриджмен
Cтраница 3
Общепризнанным является тот факт, что при применении метода Бриджмена - Стокбарджера рост лучше всего происходит тогда, когда температура по сечению печи предельно выравнена, а вертикальный перепад температур у перегородки возможно более резкий, что приводит к образованию хорошо обозначенной горизонтальной границы раздела твердой фазы и расплава. Следует избегать кратковременных флуктуации температуры, механических встряхиваний, неравномерного опускания тигля и других явлений, которые способствуют нарушению границы расплав - поверхность растущего кристалла. После полного затвердевания расплава образовавшийся кристалл для снятия термических напряжений следует постепенно охладить до комнатной температуры. [31]
Использованный Лоусоном метод выращивания кристаллов гзвестен под названием метода Бриджмена или Штокбергера, который очень часто применяется для выращивания больших монокристаллов щелочно-галоид-ных соединений. [32]
При выращивании из расплава монокристаллов полупроводниковых соединений пользуются методом Бриджмена - Стокбаргера. [34]
 |
Схема установки для. [35] |
При выращивании из расплава монокристаллов полупроводниковых соединений пользуются методом Бриджмена - Стокбаргера. [36]
Метод горизонтальной направленной кристаллизации ( ГНК) представляет собой разновидность метода Бриджмена - Стокбаргера в горизонтальном варианте. Этот метод широко развит в нашей стране благодаря работам X. [37]
Полупроводниковые кристаллы выращивают в горизонтальных лодочках по тому или иному варианту метода Бриджмена - Стокбаргера. [38]
Исследование величины и природы отклонения от стехиометрии монокристаллов HgTe, выращенных методом Бриджмена, было выполнено Левицкой, Ванюковым, Крестовниковым и Быхановым [75] путем совместного рассмотрения температурной зависимости коэффициента Холла и подвижности носителей от комнатной до гелиевых температур. Изучение Р - - диаграммы состояния HgTe показало, что при 300 и 353 С область гомогенности распространяется в обе стороны от стехиометрического состава. [39]
Монокристаллы Nd2S3 получены Гендерсоном и др. [254] плавкой в аргонной плазме и методом Бриджмена в графитовом тигле. [40]
Кристаллы никеля были вырезаны из монокристаллических стержней, выращенных из карбонила никеля или никеля Nivac методом Бриджмена. Кристаллы сначала были вырезаны в виде шаров с выступом с одной стороны для их крепления, а затем были подвергнуты электролитическому травлению, так что местоположение определенных граней могло быть установлено по симметрии протравленного образца. Далее грани были обработаны параллельно плоскостям ( 100) и ( ПО) на одном кристалле и параллельно плоскостям ( 111) и ( 321) - на другом кристалле. [41]
 |
Выращивание монокристаллов. [42] |
Скорость опускания контейнера в данном методе примерно та же, что и при выращивании монокристаллов методом Бриджмена. [43]
В случае монокристаллов ферритов-шпинелей, выращенных раснлавными методами, наиболее высокое качество кристаллов достигается при использовании методов Бриджмена и Вернейля. [44]
Если же полупроводниковый материал летуч или если используется активатор с высокой упругостью пара, то легкость использования закрытой системы в вертикальном варианте метода Бриджмена - Стокбаргера может выдвинуть этот метод в число наиболее приемлемых для получения полупроводниковых кристаллов. То обстоятельство, что форма выращенного кристалла определяется формой тигля, с экономической точки зрения оказывается преимуществом при последующем разрезании кристаллов, так как позволяет при промышленном выращивании получать кристаллы стандартной формы и размеров. [45]
Страницы: 1 2 3 4