Cтраница 4
Несмотря на существенные различия в характеристиках машин и предъявляемых к ним технических требованиях по точности работы, все перечисленные типы электрических микромашин имеют много общего по принципу работы, структуре магнитной цепи и происходящих в них электромагнитных процессах. Это позволяет изложить основы теории всех машин с единых позиций на базе идеализированной модели четырехобмоточной электрической машины, приняв в качестве исходных уравнения теории двух реакций. При введении относительных параметров машин ( в долях от индуктивного сопротивления намагничивания) представляется возможным для большинства практически важных режимов работы получить выходные характеристики в явном виде, как функции геометрических размеров машины, числа пар полюсов и допустимых электромагнитных нагрузок. Такой метод подхода к вопросам теории и расчета электрических микромашин автоматики принят в настоящей книге. [46]
Здесь xs ( t) - установившаяся, a xit ( t) - переходная погрешность. В работах С. П. Стрелкова [13.26], В. С. Кулебакина [13.27] и А. Г. Ивахненко [ 13.28 показано, что для широкого класса задающих воздействий Хл ( t) или возмущающих воздействий величина модуля установившейся погрешности xs ( t) может быть теоретически сделана сколь угодно малой. Практически эта величина также мала, иначе САР не может считаться правильно работающей. Такой метод подхода является плодотворным, так как он позволяет четко сформулировать задачу достижения наибольшего быстродействия и, главное, получить ее решение. Однако при разработке практических систем следует иметь в виду, что полученные из теории оптимальных процессов результаты и приемы построения оптимальных систем пригодны лишь для больших отклонений, по сравнению с которыми ве-лнчнна xs ( t) мала. При малых значениях x ( t) система должна подчиняться уже иным законам. [47]
Полное выражение для дипольного момента полярной молекулы должно дать не только степень разделения зарядов в молекуле, но также локализацию частичных зарядов. Для того чтобы это сделать, необходимы данные, касающиеся тенденции двух атомов притягивать и удерживать у себя электронные заряды. Неоднократно делались попытки объединить различные свойства атомов, которые, как предполагается, определяют силу стремления атома приобрести заряд от другого атома, связанного с ним, в единую характеристику, известную, как электроотрицательность атома. Разработано несколько методов подхода к этой проблеме, причем полученные результаты обычно хорошо согласуются - весьма счастливое стечение обстоятельств, поскольку трудно себе представить, что электроотрицательность может быть столь по-различному определена в зависимости от разных, произвольно выбранных атомных свойств. Эти методы были разработаны Полингом, Малли-кеном, Сандерсеном, а также Олредом и Роховым. В методе последних двух авторов в качестве исходного атомного свойства рассматриваются атомные радиусы, в то время как шкала Малликена, основанная на средних значениях первых ИП и ЭС элемента, исходит из предположения о том, что сумма этих величин должна отражать как тенденцию атома приобретать электронный заряд, так и его сопротивление тому, чтобы отдавать свой заряд. Обсуждение этих трех подходов можно найти в учебниках по физической химии, но поскольку в настоящей книге всюду будут использоваться величины электро-отрицательностей по Полингу, то желательно несколько подробнее изложить метод их вывода. [48]
Значительно менее полно, несмотря на большое число работ, разобраны вопросы, связанные с действием полупроводниковых триодов в регенеративных схемах. Широкий круг подобных систем от генераторов почти гармонических колебаний до спусковых схем, используемых в счетных устройствах, требует для своего последовательного анализа нелинейного подхода с учетом ряда специфических свойств полупроводниковых триодов. Эти специфические свойства в большинстве случаев не позволяют просто применять уже известные методы анализа и расчета, разработанные для ламповых схем, и приводят к необходимости специального рассмотрения различных классов регенеративных схем при использовании в них полупроводниковых триодов. При этом очевидно, что сознательный выбор метода подхода к анализу каждого типа устройств требует достаточно полного знания специфики полупроводниковых триодов, вытекающей из особенностей физических процессов в этих приборах. [49]