Cтраница 2
Методом термического разложения МОС в растворах могут быть нанесены пленки металлов, окислов, их смесей и соединений на многие материалы. Хотя этот метод использовался еще в 1830 г., он относительно малоизвестен в сравнении с вакуумным испарением, катодным распылением, электролитическим, химическим и методом осаждения из паровой фазы. До последнего времени этот метод широко использовался лишь для нанесения декоративных покрытий на стеклянные, фарфоровые и керамические изделия. [16]
Описан метод термического разложения тетрахлорида кремния на танталовой нити в присутствии водорода. [17]
Важной особенностью метода термического разложения МОС является механизм образования покрытии. Ксли при вакуумном напылении пленка формируется из прямолинейно движущихся от испарителя частиц напыляемого материала, то при термическом разложении в паровой фазе процесс формирования пленки носит другой характер. Подвергаемая металлизации поверхность находится в окружении паров металлооргаиического соединения, молекулы которого хаотически движутся в различных направлениях, что позволяет им, в отличие от процесса вакуумного напыления, с равной вероятностью приближаться как к горизонтальным, так и к вертикальным плоскостям покрываемого предмета. Сама пленка формируется в результате разложения МОС либо па нагретой поверхности, либо вблизи ее. Таким образом, образование покрытия при термическом разложении МОС в паровой фазе в вязкостном режиме позволяет в отличие от вакуумного напыления наносить равномерную пленку па предметы сложной конфигурации, например, проводить металлизацию внутренних поверхностей деталей, даже при очень малых размерах отверстий. Как правило, покрытия, получаемые термическим разложением МОС в паровой фазе, отличаются высокой адгезией. Повышению адгезии способствует также диффузия металла вглубь подложки при проведении процесса при повышенной температуре. [18]
Сочетание возможностей метода термического разложения МОС и электронно-лучевой технологии открывает возможность изготовления защитных и диффузионных масок без применения фотолитографических приемов, без использования операции химического травления. [19]
Существует несколько методов термического разложения углеводородных газов, отличающихся друг от друга способом подвода тепла к сырью. Наиболее важным из них является так называемый метод термического крекинга с присадкой кислорода. Тепловая энергия в данном процессе выделяется при сгорании части углеводородов, поступающих на разложение в токе кислорода. Для более эффективного протекания процесса поступающие в печи углеводороды и кислород предварительно подвергаются раздельному подогреву. Эффективность этого мероприятия подтверждается тем, что при проведении процесса без предварительного подогрева компонентов получается газ с содержанием до 6 % ацетилена, в то время как при подогреве до 400 - 600 содержание ацетилена увеличивается до 8 - 9 % при том же расходе метана. [20]
Получение пленок методом термического разложения в паровом фазе отличается простотой, экономичностью и высокой производительностью. Метод позволяет в едином технологическом цикле получать практически все элементы, необходимые для изготовления электронных приборов: полупровод-пиковые монокристаллы и зпитакснальпыо слои, проводящие, резистивпые и диэлектрические пленки. [21]
Наибольшее значение имеют метод термического разложения пентакарбонила железа ( см. § 193) и электролиз водных растворов его солей. [22]
Приборы для элементного микроанализа органических соединений АКОМ-5. [23] |
Элементный анализ осуществляется методом термического разложения навески вещества в присутствии или в отсутствие катализаторов и окислителей, с последу, ющим количественным определением продуктов разложения. [24]
Общей операцией при применении метода термического разложения галогенидов, гидридов, карбонильных и металлоорганиче-ских соединений является предварительный синтез соединений, исходными продуктами для которого являются в общем случае два вешлства: очищаемое и его партнер ( галоген, водород и др.) в соединении. [25]
Общей операцией при применении метода термического разложения галогенидов, гидридов, карбонильных и металлоорганиче-ских соединений является предварительный синтез соединений, исходными продуктами для которого являются в общем случае два вещества: очищаемое и его партнер ( галоген, водород и др.) в соединении. [26]
Для выращивания кристаллов SiC использовался метод термического разложения метилтрихлорсилана в водороде на подложках, нагреваемых с помощью токов высокой частоты. [27]
Для решения задачи был использован метод термического разложения соединений, содержащих в своем составе алюминий и азот. В качестве таких соединений были взяты соединения хлористого алюминия с аммиаком с общей формулой А1С13 xNH3 ( x l - h3), называемые аммиакатами хлорида алюминия. [28]
Особенности и преимущества получения пленок методом термического разложения МОС в паровой фазе наиболее заметны в сравнении с другими методами получения пленок, такими, как напыление в вакууме, катодное распыление, химическое и электрохимическое осаждение. Если при напылении в вакууме требуется поддержание в системе глубокого вакуума и высокой температуры, до которой нагревают испаряемый материал, то процесс по методу термического разложения МОС может быть проведен как в вакууме, так и при атмосферном давлении. Температура испарителя невысока; как правило, она не превышает 100 - 200 С, и поэтому загрязнение получаемого покрытия материалом испарителя в этом случае исключается. [29]
Зависимость фактор растгшпш плети. ] двуокиси ] титана от частоты при разных температурах. [30] |