Метод - обратное рассеяние
Cтраница 1
Метод обратного рассеяния используется в тех случаях, когда нельзя применять метод поглощения, например не представляется возможным установить исследуемый слой между источником излучения и счетной трубкой. [1]
Методом обратного рассеяния света в ячейке Куэтта экспериментально исследованы кинетические процессы в суспензии ЛЖК липидных везикул - агрегация, деформация формы, релаксация, седиментация - и получены численные значения их характерных времен. [2]
При измерениях методом обратного рассеяния препарат f - излучателя и индикатор излучения располагают по одну сторону от рассеивающего материала. [4]
 |
Радиоэлементы для определения толстых слоев. [5] |
Измерение толщин методом обратного рассеяния у-излучения производится прежде всего в тех случаях, когда измеряемый слой не доступен с обеих сторон. [6]
Наибольшее внимание привлекает метод обратного рассеяния, отличающийся относительной простотой. Лазерные системы; основанные на этом методе, делятся на моностатические и бистатические. В моно-статических системах оптические оси источника - излучения и фотоприемника совпадают или достаточно близки. Такие системы могут работать только в импульсном режиме. В бистатических системах между источником излучения и фотоприемником есть некоторое расстояние ( база), что создает известные трудности в настройке степени перекрытия пучка излучения и поля зрения приемной системы. Однако преимуществом этих систем является возможность работы как в импульсном, так и в непрерывном режиме. [7]
 |
Градуировочная кривая для определения толщины. [8] |
Строят градуировочную кривую для лаковых слоев, полученную методом обратного рассеяния ( зависимость интенсивности излучения от толщины слоя в мг / см2 при использовании измерительного устройства, описанного в раб. Определяют неизвестные толщины лаковых покрытий. [9]
Для измерения более тонких слоев при помощи у-излучения лучше применять метод обратного рассеяния. В отличие от р-излучения - у-излуче-ние не может использоваться в методе обратного рассеяния, если исследуемые слои находятся на подложке. [10]
Измеряют толстые слои алюминия, железа и свинца при помощи у-излучения методом обратного рассеяния. [11]
Если толщина слоя подлежащей измерению жидкости слишком велика, то пользуются методом обратного рассеяния, помещая источник и счетчик по одну сторону исследуемого резервуара ( фиг. [12]
В работе [10] приведена рентгенограмма поликристаллического алюминия, полученная с помощью одного рентгеновского импульса методом обратного рассеяния. Источником импульсов в этом случае служила открытая трубка триодного типа с игольчатым анодом, модифицированная таким образом, что стало возможным приближение образца к аноду до нескольких сантиметров. [13]
Если радиоактивный изотоп не может быть введен в состав вещества или входившие в его состав радиоактивные элементы потеряли активность вследствие длительного хранения, то применяется метод обратного рассеяния ( фиг. Он состоит в использовании источника - радиоактивности, помещенного напротив доступной измерению поверхности изделия. Рядом с этим источником находится счетчик Гейгера, надлежащим образом защищенный от попадания прямых р-частиц. [14]
Важным моментом является также электрическая активизация и отжиг дефектов путем термообработки подложки. Степень восстановления кристаллических свойств измеряется методом обратного рассеяния Резерфорда ( производится измерение распространения по каналам ионов Не с энергией несколько МэВ), а определение количества активизированного электрического заряда ( доноров и акцепторов) - путем измерения холловской подвижности. Измерения, правда, касаются только основных носителей, хотя неосновные носители также оказывают влияние за счет глубоких уровней, образованных остаточными дефектами. [15]
Страницы: 1 2